[發(fā)明專利]電沉積法與溶膠凝膠法相結(jié)合制備CZTS吸收層的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011091251.7 | 申請日: | 2020-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN112225468B | 公開(公告)日: | 2022-11-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李微;王姣;畢金蓮;王延平;李浩然;王媛 | 申請(專利權(quán))人: | 天津理工大學 |
| 主分類號: | C03C17/36 | 分類號: | C03C17/36;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司: | 太原倍智知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 14111 | 代理人: | 張宏 |
| 地址: | 300384 *** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 溶膠 凝膠 法相 結(jié)合 制備 czts 吸收 方法 | ||
1.一種電沉積法與溶膠凝膠法相結(jié)合制備CZTS吸收層的方法,其特征在于,包括:
步驟一,在清洗干凈的鍍Mo鈉鈣玻璃襯底上采用直流電沉積法電沉積一層Cu;
直流電沉積法電沉積Cu的具體步驟如下:將鍍Mo鈉鈣玻璃襯底清洗干凈后,在CuSO4水溶液中沉積Cu層,電沉積實驗條件包括以下幾組參數(shù):沉積時間8s,沉積電流1A,沉積電量8C;沉積時間6s,沉積電流1A,沉積電量6C;沉積時間5s,沉積電流1A,沉積電量5C;根據(jù)不同電沉積Cu的時間進行選擇的以下前驅(qū)體溶液中,Zn,Sn和S的摩爾比分別為:當Cu沉積時間為8s時,Zn/Sn=1.75,S/金屬元素=2.8;當Cu沉積時間為6s時,Zn/Sn=3.25,S/金屬元素=1.8;當Cu沉積時間為5s時,Zn/Sn=1.59, S/金屬元素=3;
步驟二,配制含有Zn、Sn和S的前驅(qū)體溶液;以氯化鋅(ZnCl2)、氯化亞錫二水合物(SnCl2·2H2O)、硫脲(SC(NH2)2)作為溶質(zhì),二甲基甲酰胺(N,N-Dimethylformamide)作為溶劑,充分攪拌使其充分溶解,得到含有Zn,Sn和S的金屬-硫脲絡(luò)合物,所述金屬-硫脲絡(luò)合物與DMF發(fā)生水解—聚合反應(yīng),獲得所述前驅(qū)體溶液;
所述前驅(qū)體溶液制備過程如下:先將二甲基甲酰胺溶劑放入玻璃瓶中,再放入氯化亞錫二水合物(SnCl2·2H2O),放在攪拌臺上攪拌至SnCl2完全溶解;再放入氯化鋅(ZnCl2),攪拌至完全溶解;最后放入硫脲,完全反應(yīng)后獲得所述前驅(qū)體溶液;
步驟三,將步驟二所述的前驅(qū)體溶液旋涂在沉積Cu的Mo背電極上,旋涂前驅(qū)體溶液于沉積Cu的Mo背電極后,置于300℃下預(yù)加熱烘烤,然后室溫冷卻,重復(fù)旋涂、預(yù)加熱、室溫冷卻過程,獲得前驅(qū)體薄膜;
步驟四,以硫粉和錫粉作為硫源和錫源,將步驟三所得前驅(qū)體薄膜在真空環(huán)境下進行硫化退火處理,獲得CZTS吸收層薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟三中,使用滴管吸取前驅(qū)體溶液,滴在沉積Cu的Mo背電極上,使其完全覆蓋表面;啟動勻膠機,轉(zhuǎn)速為低速800r/min,時間為5s;再到達高速旋涂模式,高速3500r/min,時間為20s。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,步驟三中,重復(fù)旋涂、預(yù)加熱、室溫冷卻過程10次。
4.權(quán)利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,步驟四中,退火處理的過程如下:將前驅(qū)體薄膜樣品置于陶瓷舟上,加入硫粉和錫粉,然后將陶瓷舟放入雙溫區(qū)管式爐中,關(guān)閉進氣閥和出氣閥 ,在真空條件下進行退火。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于:設(shè)定雙溫區(qū)管式爐升溫曲線為25分鐘內(nèi)從室溫線性變化至620℃,保溫,然后自然冷卻至室溫。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于:在620℃下退火之前,先在200℃下加熱退火,設(shè)定雙溫區(qū)管式爐升溫曲線為10分鐘內(nèi)從室溫線性變化至200℃,并保溫20分鐘,然后自然冷卻至室溫。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,步驟四中,退火處理的過程如下:將前驅(qū)體樣品置于陶瓷舟上,加入1g硫粉和1.78g錫粉,然后將陶瓷舟放入雙溫區(qū)管式爐中,實驗開始之前,先抽真空20min,然后打開進氣閥和出氣閥,通20min氬氣。
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