[發(fā)明專利]低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011091125.1
• 申請(qǐng)日: 2020-10-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112737400A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸康浩;安成德;林鐘泰;樸贊祐;吳知映
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 韓國(guó)電子通信研究院
• 主分類(lèi)號(hào): H02N2/02
• 分類(lèi)號(hào): H02N2/02;H02N2/04;H01L41/09
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 王建國(guó);李琳

1.一種低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其包括：

基板，所述基板包括一對(duì)連接電極；

致動(dòng)器，所述致動(dòng)器設(shè)置在所述一對(duì)連接電極上，以產(chǎn)生振動(dòng)；

支撐件，所述支撐件設(shè)置在所述致動(dòng)器上；

振動(dòng)膜，所述振動(dòng)膜設(shè)置在所述支撐件上，以根據(jù)所述致動(dòng)器而振動(dòng)；以及

振動(dòng)塊，所述振動(dòng)塊設(shè)置在所述振動(dòng)膜上，以根據(jù)所述振動(dòng)膜而振動(dòng)，

其中，所述致動(dòng)器包括多個(gè)層壓絕緣層和內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極交替層壓在彼此相鄰的所述絕緣層之間，并且

與所述振動(dòng)膜接觸的所述支撐件的頂表面的面積等于或小于與所述致動(dòng)器接觸的所述支撐件的底表面的面積。

2.如權(quán)利要求1所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其中，所述致動(dòng)器進(jìn)一步包括第一側(cè)電極和第二側(cè)電極，所述第一側(cè)電極和所述第二側(cè)電極電連接到所述內(nèi)部電極上，并且

所述第一側(cè)電極和所述第二側(cè)電極分別電連接到所述一對(duì)連接電極上。

3.如權(quán)利要求1所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其中，所述支撐件包括彼此間隔開(kāi)的第一支撐部分，并且

所述第一支撐部分從所述致動(dòng)器延伸到所述振動(dòng)膜。

4.如權(quán)利要求3所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其中，所述支撐件還包括第二支撐部分，所述第二支撐部分配置為覆蓋所述致動(dòng)器的頂表面，并且

所述第一支撐部分中的每一個(gè)從所述第二支撐部分的一部分延伸，以接觸所述振動(dòng)膜。

5.如權(quán)利要求1所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其中，所述支撐件的頂表面與所述振動(dòng)膜的邊緣接觸。

6.如權(quán)利要求1所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其中，當(dāng)從上側(cè)觀察所述振動(dòng)塊時(shí)，所述振動(dòng)塊具有圓形、橢圓形、多邊形或十字(+)形中的一個(gè)形狀。

7.如權(quán)利要求1所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其中，所述致動(dòng)器的共振頻率大于所述振動(dòng)塊的共振頻率。

8.如權(quán)利要求7所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其中，所述振動(dòng)塊具有大約500Hz或更小的共振頻率。

9.如權(quán)利要求1所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其中，所述振動(dòng)膜包括PDMS、PMMA、共聚酯、硅酮、聚氨酯、橡膠、聚酰亞胺(PI)或彈性體中的至少一種。

10.如權(quán)利要求1所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其中，與所述振動(dòng)膜接觸的所述振動(dòng)塊的一部分的面積小于所述振動(dòng)膜的面積。

11.如權(quán)利要求1所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述振動(dòng)塊上的保護(hù)層。

12.如權(quán)利要求1所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其中，所述絕緣層中的每一個(gè)包括壓電元件或電致伸縮元件中的至少一個(gè)。

13.一種低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其包括：

下基板，所述下基板包括一對(duì)連接電極；

致動(dòng)器，所述致動(dòng)器設(shè)置在所述一對(duì)連接電極上，以產(chǎn)生振動(dòng)；

第一支撐件，所述第一支撐件設(shè)置在所述致動(dòng)器上；

第一振動(dòng)膜，所述第一振動(dòng)膜設(shè)置在所述第一支撐件上；

振動(dòng)塊，所述振動(dòng)塊設(shè)置在所述第一振動(dòng)膜上；

第二振動(dòng)膜，所述第二振動(dòng)膜設(shè)置在所述振動(dòng)塊上；

第二支撐件，所述第二支撐件設(shè)置在所述第二振動(dòng)膜上；以及

上基板，所述上基板設(shè)置在所述第二支撐件上，

其中，所述第二支撐件的頂表面與所述上基板接觸，并且所述致動(dòng)器的共振頻率大于所述振動(dòng)塊的共振頻率。

14.如權(quán)利要求13所述的低頻振動(dòng)致動(dòng)器裝置，其中，與所述第一振動(dòng)膜接觸的所述第一支撐件的頂表面的面積等于或小于與所述致動(dòng)器接觸的所述第一支撐件的底表面的面積。