[發(fā)明專利]可控制的光透射率調(diào)控裝置及系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011091106.9
• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN112213870A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 金華伏安光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種可控制的光透射率調(diào)控裝置，其特征在于，所述裝置包括：基底、半導體層、第一金屬層、第二金屬層、第一壓電部和第二壓電部；所述第二金屬層設置在所述第一金屬層的一側(cè)，所述第一壓電部和所述第二壓電部分別設置在所述第一金屬層和所述第二金屬層的兩端，所述第一金屬層和所述第二金屬層之間存在間隙，所述第一金屬層和所述第二金屬層的結(jié)構(gòu)均包括多個周期排列的金屬結(jié)構(gòu)，所述第一金屬層和所述第二金屬層中的所述金屬結(jié)構(gòu)的空隙中填充有鉛離子溶液，所述半導體層設置在所述第一金屬層遠離所述第二金屬層的一側(cè)，所述基底設置在所述半導體層遠離所述第一金屬層的一側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控制的光透射率調(diào)控裝置，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層中的所述金屬結(jié)構(gòu)為長方體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可控制的光透射率調(diào)控裝置，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層中的所述金屬結(jié)構(gòu)為梭子形金屬結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可控制的光透射率調(diào)控裝置，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層中兩個相鄰的所述金屬結(jié)構(gòu)之間的間距為2nm-60nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可控制的光透射率調(diào)控裝置，其特征在于，所述第一金屬層中的所述金屬結(jié)構(gòu)與所述第二金屬層中的所述金屬結(jié)構(gòu)在所述半導體層上的投影不重合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的可控制的光透射率調(diào)控裝置，其特征在于，所述基底的材料為柔性材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的可控制的光透射率調(diào)控裝置，其特征在于，所述半導體層的材料為二氧化鈦。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的可控制的光透射率調(diào)控裝置，其特征在于，所述第一壓電部和所述第二壓電部的材料為聚偏氟乙烯壓電膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的可控制的光透射率調(diào)控裝置，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層中的金屬結(jié)構(gòu)的材料為金。

10.一種可控制的光透射率調(diào)控系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括：壓力釋放結(jié)構(gòu)和權(quán)利要求1-9任意一項所述的可控制的光透射率調(diào)控裝置，所述壓力釋放結(jié)構(gòu)設置在所述第一壓電部和所述第二壓電部上，用于對所述第一壓電部和所述第二壓電部釋放壓力。