[發明專利]阻障層及包括該阻障層的氣體傳感器

在審

• 申請號: 202011089520.6
• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN113340942A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 蔡明志
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: G01N27/00
• 分類號: G01N27/00;G01N27/22
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 姚亮;張德斌

1.一種阻障層，包括：

一多孔結構，包括：

一聚合物材料；

一氧化物，與所述聚合物材料之間具有一化學鍵；以及

一含氟材料，與所述聚合物材料和所述氧化物組裝成一復合物結構。

2.如權利要求1所述的阻障層，其中該聚合物材料包括如下所示的重復單元：

其中，m為1至10000的整數。

3.如權利要求1所述的阻障層，其中所述聚合物材料包括如下所示的重復單元：

其中n為1至10000的整數，R₁為(CH₂)_iH、(OC₂H₄)_jH、(OC₃H₆)_kH或其兩種以上的組合，i為0至24的整數，j為0至18的整數，且k為0至12的整數。

4.如權利要求3所述的阻障層，其中多個R₁之間彼此相同或不同，或部分相同且部分不同。

5.如權利要求1所述的阻障層，其中所述氧化物包括如下所示的單元：

A_xM_yO_z 通式(III)

其中，A包括至少一陽離子，M包括過渡金屬離子、類金屬離子及碳離子的至少一者，且x、y與z的值使通式(III)的電荷數達到平衡。

6.如權利要求5所述的阻障層，其中A包括氫離子、堿金屬離子、堿土金屬離子、稀土金屬離子和銨類離子中的至少一者。

7.如權利要求5所述的阻障層，其中M包括錫、鈦、鋯、鈰、鉿、鉬、鎢、釩、銅、鐵、鈷、鎳、錳、鈮、鉭、錸、釕、鉑、硅、硼、鍺、砷和碳中的至少一者。

8.如權利要求1所述的阻障層，其中所述含氟材料包括碳氟化合物所形成的全氟烷基、聚四氟乙烯、磺酸和磷酸中的至少一者。

9.如權利要求1所述的阻障層，其中所述氧化物接枝于所述聚合物材料的一羥基處。

10.一種氣體傳感器，包括如權利要求1至9中的任一項所述的阻障層。