[發明專利]半導體器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011089159.7
• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN112233981A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 田武;孫超;王欣
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高翠花

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一基底層，所述基底層上設置有柵極，所述基底層內設置有源極區域、漏極區域及溝道區，所述柵極與所述溝道區對應，所述源極區域及漏極區域設置在所述柵極兩側；

在所述基底層上，在所述源極區域與所述柵極之間的待摻雜區上及所述漏極區域與所述柵極之間的待摻雜區上形成圖形化的阻擋層，所述阻擋層間隔遮擋部分所述待摻雜區；

對所述待摻雜區進行摻雜，形成輕摻雜區。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述阻擋層包括阻擋區及鏤空區，所述阻擋區與所述鏤空區交替排列，所述鏤空區暴露出所述基底層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述阻擋層包括多個間隔設置的阻擋條，所述阻擋條作為所述阻擋區，相鄰所述阻擋條之間的間隙作為所述鏤空區。

4.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述阻擋層包括多個間隔設置的同心阻擋環，所述阻擋環作為所述阻擋區，相鄰所述阻擋環之間的間隙作為所述鏤空區。

5.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述阻擋層包括多個矩陣排列的阻擋塊，所述阻擋塊作為所述阻擋區，相鄰所述阻擋塊之間的間隙作為所述鏤空區。

6.根據權利要求2～5任意一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述阻擋區的寬度為60nm～0.5μm。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在形成所述阻擋層之前對所述源極區域及漏極區域進行摻雜，形成源區及漏區。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在形成所述輕摻雜區之后或者之前對所述源極區域及漏極區域進行摻雜，形成源區及漏區。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述半導體器件包括第一類型晶體管及第二類型晶體管，所述第一類型晶體管的溝道區寬度大于所述第二類型晶體管的溝道區寬度，所述阻擋層僅形成在第一類型晶體管的待摻雜區上。

10.一種采用權利要求1～8任意一項所述的制備方法制備的半導體器件，其特征在于，包括：

基底層；

柵極，設置在所述基底層上；

源極及漏極，設置在所述基底層內，且位于所述柵極兩側，

溝道區，設置在所述基底層內，與所述柵極對應；

輕摻雜區，設置在所述基底層內，且位于所述源極與所述柵極之間及所述漏極與所述柵極之間；

圖形化的阻擋層，設置在所述基底層上，且間隔遮擋部分所述輕摻雜區。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括第一類型晶體管及第二類型晶體管，所述第一類型晶體管的溝道區寬度大于所述第二類型晶體管的溝道區寬度，所述阻擋層僅形成在第一類型晶體管的待摻雜區上，所述第一類型晶體管的輕摻雜區的摻雜濃度小于所述第二類型晶體管的輕摻雜區的摻雜濃度。