[發明專利]數據存儲裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 202011086808.8
• 申請日: 2020-10-12
• 公開（公告）號: CN113409854A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 吳玉均
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李青;王瑩

1.一種存儲器控制器，包括：

接口，與存儲器裝置通信，所述存儲器裝置包括多個存儲器芯片，每個存儲器芯片包括多個存儲器位置；

最佳讀取電壓重試控制器，生成與針對所述存儲器裝置的多個讀取操作之中的讀取操作已經失敗的存儲器位置的物理地址相對應的第一最佳讀取電壓；以及

讀取失敗控制器，與所述最佳讀取電壓重試控制器和所述接口通信，并且控制所述存儲器裝置以使用來自所述最佳讀取電壓重試控制器的所述第一最佳讀取電壓對另一存儲器位置執行最佳讀取電壓重試操作，

其中響應于從主機提供的相同讀取請求而執行所述多個讀取操作。

2.根據權利要求1所述的存儲器控制器，其中根據使用所述第一最佳讀取電壓的讀取操作已經失敗的存儲器位置的物理地址與所述讀取操作已經失敗的所述存儲器位置的物理地址是否相同，所述讀取失敗控制器確定將應用于所述最佳讀取電壓重試操作已經失敗的存儲器位置的讀取操作的恢復算法。

3.根據權利要求1所述的存儲器控制器，其中所述讀取失敗控制器控制所述存儲器裝置，對物理地址與所述讀取操作已經失敗的所述存儲器位置的物理地址相同的讀取操作執行軟解碼。

4.根據權利要求1所述的存儲器控制器，其中所述讀取失敗控制器生成與至少一個存儲器位置的物理地址相對應的第二最佳讀取電壓，所述至少一個存儲器位置的物理地址不同于所述讀取操作已經失敗的所述存儲器位置的物理地址。

5.根據權利要求4所述的存儲器控制器，其中所述讀取失敗控制器使用所述第二最佳讀取電壓對存儲器位置的物理地址執行讀取操作，所述存儲器位置的物理地址不同于所述讀取操作已經失敗的所述存儲器位置的物理地址。

6.根據權利要求1所述的存儲器控制器，其中所述最佳讀取電壓重試控制器包括最佳讀取電壓計算器，所述最佳讀取電壓計算器通過在與所述讀取操作已經失敗的所述存儲器位置的物理地址相對應的存儲器單元的閾值電壓分布中，使用高斯建模來計算所述第一最佳讀取電壓。

7.根據權利要求1所述的存儲器控制器，其中所述最佳讀取電壓重試控制器包括最佳讀取電壓存儲設備，所述最佳讀取電壓存儲設備存儲所述第一最佳讀取電壓以及所述讀取操作已經失敗的所述存儲器位置的物理地址。

8.根據權利要求1所述的存儲器控制器，進一步包括：

錯誤校正組件，對通過使用所述第一最佳讀取電壓的讀取操作而獲得的讀取數據執行錯誤校正解碼。

9.根據權利要求1所述的存儲器控制器，其中所述存儲器位置的物理地址包括映射到所述多個存儲器芯片中的任意一個的芯片地址。

10.根據權利要求1所述的存儲器控制器，其中所述存儲器位置的物理地址包括映射到所述多個平面中的任意一個的平面地址。

11.根據權利要求1所述的存儲器控制器，其中所述多個平面是由所述存儲器控制器獨立控制以同時執行不同操作的存儲器位置。

12.根據權利要求2所述的存儲器控制器，其中所述恢復算法包括讀取重試操作、最佳讀取電壓重試操作、軟解碼操作和芯片獵殺恢復操作。

13.一種數據存儲裝置，包括：

多個存儲器芯片，每個存儲器芯片包括多個平面；以及

存儲器控制器，執行恢復算法，所述恢復算法恢復與對所述多個存儲器芯片執行的讀取操作之中失敗的讀取操作相對應的數據，

其中所述存儲器控制器使用與所述失敗的讀取操作之中所選擇的讀取操作有關的地址來生成將在第一恢復算法中使用的讀取電壓，并且使用所述讀取電壓對與所述失敗的讀取操作相關聯的存儲器位置執行所述第一恢復算法。