[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)存儲裝置及其操作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011086808.8 | 申請日: | 2020-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN113409854A | 公開(公告)日: | 2021-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳玉均 | 申請(專利權(quán))人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/26 | 分類號: | G11C16/26 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 李青;王瑩 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 數(shù)據(jù) 存儲 裝置 及其 操作方法 | ||
本公開涉及一種具有減少的開銷的數(shù)據(jù)存儲裝置,根據(jù)所公開技術(shù)的實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置可以包括:多個存儲器芯片,每個存儲器芯片包括多個平面;以及存儲器控制器,被配置為執(zhí)行恢復算法,該恢復算法恢復對與多個存儲器芯片執(zhí)行的讀取操作之中失敗的讀取操作相對應的數(shù)據(jù),并且存儲器控制器可以使用與失敗的讀取操作之中所選擇的讀取操作有關(guān)的地址來生成將在第一恢復算法中使用的讀取電壓,并且使用該讀取電壓來對與失敗的讀取操作相關(guān)聯(lián)的存儲器位置執(zhí)行第一恢復算法。
相關(guān)申請的交叉引用
本專利文件要求于2020年3月16日提交的、申請?zhí)枮?0-2020-0032008的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本專利文件中公開的技術(shù)和實施方案涉及一種電子裝置,并且更特別地,涉及一種可以避免讀取操作期間的不必要的解碼開銷的數(shù)據(jù)存儲裝置。
背景技術(shù)
數(shù)據(jù)存儲裝置可以包括存儲數(shù)據(jù)的存儲器裝置和允許諸如計算機或智能電話的主機裝置從數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和/或?qū)?shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的控制器。根據(jù)存儲器裝置在即使電源斷開的情況下保持所存儲的數(shù)據(jù)的能力,存儲器裝置可以被表征為易失性存儲器裝置或非易失性存儲器裝置。
易失性存儲器裝置僅在電源導通時才可以保留所存儲的數(shù)據(jù)。易失性存儲器裝置的示例包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。
非易失性存儲器裝置即使在沒有電源的情況下也可以保留所存儲的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器裝置的示例包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)和閃速存儲器。
發(fā)明內(nèi)容
所公開技術(shù)的實施例提供了一種數(shù)據(jù)存儲裝置,除了具有其它特征和益處之外,該數(shù)據(jù)存儲裝置還可以避免讀取操作期間的不必要的解碼和計算開銷以及復雜度。
根據(jù)所公開技術(shù)的實施例的存儲器控制器可以包括:接口,與包括多個存儲器芯片的存儲器裝置通信,每個存儲器芯片包括多個存儲器位置;最佳讀取電壓重試控制器,被配置為生成與針對存儲器裝置的多個讀取操作之中的讀取操作已經(jīng)失敗的存儲器位置的物理地址相對應的第一最佳讀取電壓;以及讀取失敗控制器,與最佳讀取電壓重試控制器和接口通信,并被配置為控制存儲器裝置以使用來自最佳讀取電壓重試控制器的第一最佳讀取電壓對另一存儲器位置執(zhí)行最佳讀取電壓重試操作,并且可以響應于從主機提供的相同讀取請求而執(zhí)行多個讀取操作。
根據(jù)所公開技術(shù)的實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置可以包括:多個存儲器芯片,每個存儲器芯片包括多個平面;以及存儲器控制器,被配置為執(zhí)行恢復算法,該恢復算法恢復與對多個存儲器芯片執(zhí)行的讀取操作之中失敗的讀取操作相對應的數(shù)據(jù),并且存儲器控制器可以使用與失敗的讀取操作之中所選擇的讀取操作有關(guān)的地址來生成將在第一恢復算法中使用的讀取電壓,并且使用該讀取電壓對與失敗的讀取操作相關(guān)聯(lián)的存儲器位置執(zhí)行第一恢復算法。
根據(jù)所公開技術(shù)的實施例的操作包括多個存儲器芯片的數(shù)據(jù)存儲裝置的方法可以包括:生成與讀取多個存儲器芯片中存儲的數(shù)據(jù)的多個讀取操作之中的讀取操作已經(jīng)失敗的存儲器位置的物理地址相對應的最佳讀取電壓;并且使用該最佳讀取電壓來執(zhí)行多個讀取操作,并且多個讀取操作可以是響應于從主機提供的相同讀取請求而執(zhí)行的讀取操作。
附圖說明
圖1是示出基于所公開技術(shù)的實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置的示例性配置的框圖。
圖2示出圖1所示的讀取失敗處理器的示例。
圖3示出基于所公開技術(shù)的實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置的操作的示例。
圖4示出默認(理想)讀取電壓。
圖5示出獲得最佳讀取電壓的示例性方法。
圖6示出在軟解碼進程中使用的軟讀取電壓的示例。
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