[發(fā)明專利]內(nèi)部電壓發(fā)生電路及包括其的半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011086747.5
• 申請日: 2015-08-26
• 公開（公告）號: CN112289348A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金淵郁
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;H02M3/07;G05F3/26;G05F1/46
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

一種內(nèi)部電壓發(fā)生電路，包括：第一控制信號發(fā)生單元，適用于在第一外部電壓被激活時產(chǎn)生被激活為第二外部電壓的電平的第一控制信號；第二控制信號發(fā)生單元，適用于產(chǎn)生等于第二外部電壓和內(nèi)部電壓中的較高者的第二控制信號；以及電壓發(fā)生單元，適用于在基于第一控制信號和第二控制信號而阻擋電流流經(jīng)發(fā)生節(jié)點(內(nèi)部電壓從該發(fā)生節(jié)點產(chǎn)生)的同時，通過基于第二外部電壓和振蕩信號而執(zhí)行電荷泵操作來產(chǎn)生內(nèi)部電壓。

本專利申請是2015年8月26日申請的申請?zhí)枮?01510531691.2的名稱為“內(nèi)部電壓發(fā)生電路及包括其的半導(dǎo)體器件”的分案申請。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2015年2月2日提交的第10-2015-0015910號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請通過引用整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實施例涉及一種內(nèi)部電壓發(fā)生電路。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體器件變得更加高度集成，使用的外部電壓降低。低外部電壓的使用對于提高可靠性以及降低功耗是重要的。然而，不是半導(dǎo)體器件之內(nèi)的所有電路都由外部電壓驅(qū)動，某些電路需要用于它們的操作的增高電壓。該增高電壓通常通過電荷泵電路產(chǎn)生。

外部電壓通過電壓焊盤而輸入到半導(dǎo)體器件，并通過連接到電壓焊盤的線路而傳送到半導(dǎo)體器件之內(nèi)的電路。電荷泵電路可以使用主電源電壓VDD(例如，具有1.2V的目標(biāo)電平)或高電源電壓VPPEXT(例如，具有2.5V的目標(biāo)電平)來產(chǎn)生內(nèi)部電壓。

通過電壓焊盤而從半導(dǎo)體器件的外部供應(yīng)的電源電壓VDD和VPPEXT中的每個從特定電平(例如，地電壓)開始，并以恒定斜率上升到相應(yīng)的目標(biāo)電平。在電源電壓VDD和VPPEXT上升時，從電荷泵電路可以產(chǎn)生泄漏電流。如果電流泄露太大，則可能出現(xiàn)諸如自舉失敗的錯誤。

發(fā)明內(nèi)容

各種實施例針對可以防止出現(xiàn)電流泄漏的內(nèi)部電壓發(fā)生電路及包括該內(nèi)部電壓發(fā)生電路的半導(dǎo)體器件。

而且，各種實施例針對可以通過阻止電流泄漏而防止出現(xiàn)諸如自舉失敗的錯誤的內(nèi)部電壓發(fā)生電路及包括該內(nèi)部電壓發(fā)生電路的半導(dǎo)體器件。

在實施例中，內(nèi)部電壓發(fā)生電路可以包括：第一控制信號發(fā)生單元，適用于在第一外部電壓被激活時產(chǎn)生被激活為第二外部電壓的第一控制信號；第二控制信號發(fā)生單元，適用于產(chǎn)生等于第二外部電壓和內(nèi)部電壓中的較高者(即，具有等于第二外部電壓和內(nèi)部電壓之間的較高者的無論哪個的電壓)的第二控制信號；以及電壓發(fā)生單元，適用于在基于第一控制信號和第二控制信號而阻擋電流流經(jīng)發(fā)生節(jié)點(內(nèi)部電壓從發(fā)生節(jié)點產(chǎn)生)的同時，通過基于第二外部電壓和振蕩信號而執(zhí)行電荷泵操作來產(chǎn)生內(nèi)部電壓。

在實施例中，半導(dǎo)體器件可以包括：第一電壓傳送線，適用于傳送通過第一電壓焊盤而輸入的第一外部電壓；第二電壓傳送線，適用于傳送通過第二電壓焊盤而輸入的第二外部電壓；第三電壓傳送線，適用于傳送內(nèi)部電壓；內(nèi)部電路，適用于使用被傳送到第一電壓傳送線到第三電壓傳送線的電壓來執(zhí)行預(yù)定操作；內(nèi)部電壓發(fā)生單元，適用于通過基于第二外部電壓和振蕩信號而執(zhí)行電荷泵操作來產(chǎn)生內(nèi)部電壓；以及NMOS晶體管，耦接在第二電壓傳送線與第三電壓傳送線之間，其中，NMOS晶體管在內(nèi)部電路被測試時導(dǎo)通。