[發明專利]內部電壓發生電路及包括其的半導體器件

在審

• 申請號: 202011086747.5
• 申請日: 2015-08-26
• 公開（公告）號: CN112289348A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 金淵郁
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;H02M3/07;G05F3/26;G05F1/46
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

1.一種半導體器件，包括：

第一電壓傳送線，適用于傳送通過第一電壓焊盤而輸入的第一外部電壓；

第二電壓傳送線，適用于傳送通過第二電壓焊盤而輸入的第二外部電壓；

第三電壓傳送線，適用于傳送內部電壓；

內部電路，適用于使用被傳送到第一電壓傳送線到第三電壓傳送線的電壓來執行預定操作；

內部電壓發生單元，適用于通過基于第二外部電壓和振蕩信號而執行電荷泵操作來產生內部電壓；以及

NMOS晶體管，耦接在第二電壓傳送線與第三電壓傳送線之間，其中，NMOS晶體管在內部電路被測試時導通。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，第二外部電壓的目標電平比第一外部電壓的目標電平高。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，內部電壓發生單元在第一外部電壓具有去激活態時阻擋電流流經發生節點，內部電壓從所述發生節點產生。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，內部電壓發生單元包括：

第一控制信號發生單元，適用于在第一內部電壓被激活時產生被激活為第二外部電壓的電平的第一控制信號；

第二控制信號發生單元，適用于產生等于第二外部電壓和內部電壓中的較高者的第二控制信號；以及

電壓發生單元，適用于通過基于第二外部電壓和振蕩信號而執行電荷泵操作來產生內部電壓，同時基于第一控制信號和第二控制信號而阻擋電流流經發生節點。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，電壓發生單元包括：

第一輸入單元，適用于在第一控制信號被激活時將第一輸入節點的電壓固定為特定電平，以及在第一控制信號被去激活時基于振蕩信號來觸發第一輸入節點的電壓；

第二輸入單元，適用于在第一控制信號被激活時將第二輸入節點的電壓固定為特定電平，以及在第一控制信號被去激活時基于振蕩信號來將第二輸入節點的電壓觸發為與第一輸入節點的電壓相反的相位；以及

電荷泵單元，適用于基于第一輸入節點和第二輸入節點的電壓以及第二外部電壓來產生內部電壓，同時基于第二控制信號而阻擋電流流經發生節點。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，電壓發生單元包括：

信號發生單元，適用于通過將振蕩信號反相而產生第一信號、通過將第一信號反相而產生第二信號、通過將第二信號反相而產生第三信號以及通過將第三信號反相而產生第四信號；

信號傳送單元，適用于在第一控制信號被激活時阻擋振蕩信號，以及在第一控制信號被去激活時分別將第四信號和第三信號作為第一輸入信號和第二輸入信號來傳送；

電荷泵單元，適用于基于第一輸入信號和第二輸入信號、第一信號和第二信號以及第二外部電壓來產生內部電壓，同時基于第二控制信號而阻擋電流流經發生節點。

7.一種半導體器件，包括：

第一半導體芯片，包括第一電壓焊盤和第二電壓焊盤、第一NMOS晶體管以及第一內部電壓發生單元和第一內部電路，第一內部電壓發生單元適用于基于通過第二電壓焊盤而輸入的電壓以及第一振蕩信號來產生第一內部電壓，第一內部電路使用通過第一電壓焊盤和第二電壓焊盤而輸入的電壓以及第一內部電壓來驅動，其中，第一NMOS晶體管耦接在第二電壓焊盤與從其產生第一內部電壓的第一發生節點之間，并在第一內部電路被測試時導通；

第二半導體芯片，包括第三電壓焊盤和第四電壓焊盤、第二NMOS晶體管以及第二內部電壓發生單元和第二內部電路，第二內部電壓發生單元適用于基于通過第四電壓焊盤輸入的電壓以及第二振蕩信號來產生第二內部電壓，第二內部電路使用通過第三電壓焊盤和第四電壓焊盤而輸入的電壓以及第二內部電壓來驅動，其中，第二NMOS晶體管耦接在第四電壓焊盤與從其產生第二內部電壓的第二發生節點之間，并在第二內部電路被測試時導通；

第一芯片通孔，適用于耦接第一電壓焊盤與第三電壓焊盤以傳送第一外部電壓；以及

第二芯片通孔，適用于耦接第二電壓焊盤與第四電壓焊盤以傳送第二外部電壓。