[發明專利]一種太陽能電池及其制作方法在審
| 申請號: | 202011086603.X | 申請日: | 2020-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN112133794A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發明(設計)人: | 常紀鵬;張敏;李得銀;王冬冬;陳燕;楊超;陳丹;石慧君;馬巖青;陶延宏 | 申請(專利權)人: | 青海黃河上游水電開發有限責任公司光伏產業技術分公司;黃河水電光伏產業技術有限公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 810007 青海省西*** | 國省代碼: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 及其 制作方法 | ||
本發明公開了一種太陽能電池的制作方法,包括:在P型硅基底的背面上進行硼摻雜后,在背面上形成保護層;去除P型硅基底的正面和側面上形成的非必要摻雜區后,在背面和側面上形成用于阻擋磷離子的隔離層;在P型硅基底的正面上進行磷摻雜;去除隔離層和保護層;在正面上形成正面電極;在背面上形成背面電極。本發明公開了一種太陽能電池。本發明解決了現有技術的形成鋁背場區時的高溫引起硅基底的表面上出現裂痕的問題。
技術領域
本發明涉及太陽能電池制作技術領域,尤其涉及一種能夠減少pn結的受損可能性的電池制作方法。
背景技術
在硅太陽能電池的制作過程中比較重要的環節就是,在P型硅基底上進行磷摻雜,以形成pn結的步驟。但是,由于現有的摻雜工藝本身的限制,無法保證摻雜離子僅擴散在目標區域內。因此在實際摻雜過程中可以發現,摻雜離子不僅擴散在目標區域內(例如:正面),而且還擴散在P型硅基底的其他表面上(例如:背面或側面),從而形成非必要摻雜區。
如果保留該非必要摻雜區的話,在太陽能電池的正面上收集的光生電子會沿著該非必要摻雜區直接傳輸至太陽能電池的背面,從而造成太陽能電池的內部短路,因此有必要去除非必要摻雜區。
目前,去除非必要摻雜區時,通常會采用堿性溶液來刻蝕硅基底的背面和側面。但是該過程中,堿性溶液可能會繞流到硅基底的正面,從而損壞硅基底正面的pn結。
此外,硅太陽能電池的背場區通常是在硅基底的背面上印刷鋁漿后燒結而成。但是,燒結鋁漿的過程中,燒結時的高溫會導致硅基底的表面上出現裂痕,從而降低太陽能電池的品質。
發明內容
針對上述的技術問題,本發明采用了如下的技術方案:
在本發明的一方面提供了一種太陽能電池的制作方法,所述制作方法包括:
在P型硅基底的背面上進行硼摻雜后,在所述背面上形成保護層;
去除所述P型硅基底的正面和側面上形成的非必要摻雜區后,在所述背面和所述側面上形成用于阻擋磷離子的隔離層;
在所述P型硅基底的正面上進行磷摻雜;
去除所述隔離層和所述保護層;
在所述正面上形成正面電極;
在所述背面上形成背面電極。
優選地,去除所述隔離層和所述保護層之前,所述制作方法還包括:
對所述正面的即將形成所述正面電極的區域進行二次磷摻雜,以形成選擇性發射區。
優選地,在所述正面上形成所述正面電極之前,所述制作方法還包括:在所述正面上形成增透層。
優選地,在所述正面上形成所述正面電極的方法包括:
在所述增透層上印刷含有腐蝕性溶劑的銀漿,使所述銀漿刻穿所述增透層后與所述選擇性發射區進行接觸;
固化所述銀漿,以形成所述正面電極。
優選地,在所述背面上形成背面電極之前,所述制作方法還包括:在所述背面上形成鈍化層。
優選地,在所述背面上形成背面電極的方法包括:
在所述鈍化層上印刷含有腐蝕性溶劑的銀漿,使所述銀漿刻穿所述鈍化層后與所述背面進行接觸;
固化所述銀漿,以形成所述背面電極。
優選地,所述隔離層由二氧化硅或者氮化硅制成,所述溶解液為氫氟酸溶液。
優選地,在所述P型硅基底的正面上進行磷摻雜之前,所述制作方法還包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





