[發(fā)明專利]用于轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體晶片的生產(chǎn)線、設(shè)備及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011082993.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113178410A | 公開(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊中雄;陳永和 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677 |
| 代理公司: | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 轉(zhuǎn)移 半導(dǎo)體 晶片 生產(chǎn)線 設(shè)備 方法 | ||
本文所公開的說明性實(shí)施例是一種設(shè)備,所述設(shè)備包括第一承載托盤,所述第一承載托盤被配置成耦合到支撐多個(gè)晶片的第一晶片支撐裝置。第一晶片支撐裝置包括第一開口。所述設(shè)備包括第二承載托盤,所述第二承載托盤被配置成耦合到第二晶片支撐裝置。第二晶片支撐裝置包括第二開口。所述設(shè)備包括第一馬達(dá),所述第一馬達(dá)耦合到第一承載托盤且被配置成旋轉(zhuǎn)第一晶片支撐裝置,直到第一開口面對(duì)第二開口,以允許將所述多個(gè)晶片從第一晶片支撐裝置轉(zhuǎn)移到第二晶片支撐裝置。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及一種用于半導(dǎo)體晶片轉(zhuǎn)移的方法及設(shè)備,且更具體來說,涉及一種用于在第一晶片支撐裝置(first wafer holding device)與第二晶片支撐裝置(secondwafer holding device)之間進(jìn)行半導(dǎo)體晶片轉(zhuǎn)移的方法及設(shè)備。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)上,為了將晶片從第一盒(pod)或匣(cassette)轉(zhuǎn)移到第二盒或匣,用戶會(huì)逐個(gè)轉(zhuǎn)移晶片。這需要大量的時(shí)間及人力。此外,在手動(dòng)轉(zhuǎn)移期間,晶片不受盒殼體的保護(hù),且會(huì)不可避免地暴露于空氣中。在這種情況下,由于用戶錯(cuò)誤地處置晶片,晶片可能會(huì)被污染、損壞或以其他方式廢棄。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體晶片的生產(chǎn)線(process line),包括第一晶片處理站(first wafer processing station);第二晶片處理站(second waferprocessing station);及設(shè)備,被配置成:從所述第一晶片處理站接收第一晶片支撐裝置;將多個(gè)晶片從所述第一晶片支撐裝置轉(zhuǎn)移到第二晶片支撐裝置;且將所述第二晶片支撐裝置發(fā)送到所述第二晶片處理站。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體晶片的設(shè)備,包括:第一承載托盤(firstloading tray),被配置成耦合到支撐多個(gè)晶片的第一晶片支撐裝置,所述第一晶片支撐裝置包括第一開口;第二承載托盤(second loading tray),被配置成耦合到第二晶片支撐裝置,所述第二晶片支撐裝置包括第二開口;及耦合到所述第一承載托盤的第一馬達(dá)(firstmotor),所述第一馬達(dá)被配置成旋轉(zhuǎn)所述第一晶片支撐裝置,直到所述第一開口面對(duì)所述第二開口,以允許將所述多個(gè)晶片從所述第一晶片支撐裝置轉(zhuǎn)移到所述第二晶片支撐裝置。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體晶片的方法,包括:接收支撐多個(gè)晶片的第一晶片支撐裝置,所述第一晶片支撐裝置包括第一開口;接收包括第二開口的第二晶片支撐裝置;旋轉(zhuǎn)所述第二晶片支撐裝置,直到所述第一開口與所述第二開口對(duì)準(zhǔn);及將所述多個(gè)晶片從所述第一晶片支撐裝置轉(zhuǎn)移到所述第二晶片支撐裝置。
附圖說明
結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)說明,會(huì)最好地理解本公開的各個(gè)方面。要注意,根據(jù)本行業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)慣例,各種特征并非按比例繪制。事實(shí)上,為論述清晰起見,可任意增大或減小各種特征的尺寸。
圖1是根據(jù)一些實(shí)施例的生產(chǎn)線的示意性方塊圖。
圖2A是根據(jù)一些實(shí)施例的用于轉(zhuǎn)移晶片的自動(dòng)裝載器的示意性方塊圖。
圖2B是根據(jù)一些實(shí)施例的用于轉(zhuǎn)移晶片的自動(dòng)裝載器的示意性方塊圖。
圖3是根據(jù)一些實(shí)施例的圖2A所示用于轉(zhuǎn)移晶片的自動(dòng)裝載器的透視圖。
圖4是根據(jù)一些實(shí)施例的圖2A所示用于轉(zhuǎn)移晶片的自動(dòng)裝載器的前視圖。
圖5是根據(jù)一些實(shí)施例的圖2A所示用于轉(zhuǎn)移晶片的自動(dòng)裝載器的側(cè)視圖。
圖6是根據(jù)一些實(shí)施例的圖2A所示用于轉(zhuǎn)移晶片的自動(dòng)裝載器的俯視圖。
圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的用于轉(zhuǎn)移晶片的方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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