[發明專利]具有射頻模塊的電子裝置

在審

• 申請號: 202011082331.6
• 申請日: 2020-10-12
• 公開（公告）號: CN112802828A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 金學龜;許榮植;羅裕森;金元基;金榮發;崔守基;姜鎬炅;任榮均;千成鐘
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H01L23/498;H01L25/18;H01Q1/22
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫麗妍;馬翠平

1.一種射頻模塊，包括：

第一基板，包括至少一個第一下絕緣層和至少一個第一下布線層交替地堆疊的第一下連接構件、設置在所述第一下連接構件上方的第一芯構件以及設置在所述第一芯構件上方的第一上絕緣層；

第二基板，包括至少一個第二下絕緣層和至少一個第二下布線層交替地堆疊的第二下連接構件、設置在所述第二下連接構件上方的第二芯構件以及設置在所述第二芯構件上方的第二上絕緣層；

射頻集成電路，所述射頻集成電路的至少一部分被所述第一芯構件圍繞，并且被構造為輸入或輸出基礎信號和第一射頻信號，所述第一射頻信號具有比所述基礎信號的頻率高的頻率；

前端集成電路，所述前端集成電路的至少一部分被所述第二芯構件圍繞，并且被構造為輸入或輸出所述第一射頻信號和第二射頻信號，所述第二射頻信號具有與所述第一射頻信號的功率不同的功率；以及

柔性基板，被構造為將所述第一基板和所述第二基板彼此連接，為所述第一射頻信號提供傳輸路徑，并且比所述第一基板和所述第二基板柔韌。

2.根據權利要求1所述的射頻模塊，其中，所述射頻集成電路設置在所述至少一個第一下絕緣層與所述第一上絕緣層之間，并且

所述前端集成電路設置在所述至少一個第二下絕緣層與所述第二上絕緣層之間。

3.根據權利要求2所述的射頻模塊，所述射頻模塊還包括：

金屬覆蓋層，設置在所述第一芯構件與所述第一上絕緣層之間或者所述第二芯構件與所述第二上絕緣層之間，并且被設置為在豎直方向上與所述射頻集成電路或所述前端集成電路疊置。

4.根據權利要求1所述的射頻模塊，所述射頻模塊還包括：

第二天線，被構造為發送或接收所述第二射頻信號，并且設置在所述第二基板上。

5.根據權利要求4所述的射頻模塊，所述射頻模塊還包括：

第二芯過孔，電連接到所述至少一個第二下布線層，并且被設置為貫穿所述第二芯構件，

其中，所述第二天線電連接到所述第二芯過孔，并且設置在所述第二芯構件的上方或者所述前端集成電路的上方。

6.根據權利要求5所述的射頻模塊，所述射頻模塊還包括：

第一芯過孔，電連接到所述至少一個第一下布線層，并且被設置為貫穿所述第一芯構件；以及

第一天線，電連接到所述第一芯過孔，并且設置在所述第一芯構件上方或者所述射頻集成電路的上方。

7.根據權利要求6所述的射頻模塊，所述射頻模塊還包括：

第二前端集成電路，所述第二前端集成電路的至少一部分被所述第一芯構件圍繞，并且被構造為輸入或輸出第三射頻信號和第四射頻信號，所述第四射頻信號具有與所述第三射頻信號的功率不同的功率，

其中，所述第一天線被構造為發送或接收所述第四射頻信號。

8.根據權利要求1所述的射頻模塊，所述射頻模塊還包括：

第二前端集成電路，所述第二前端集成電路的至少一部分被所述第一芯構件圍繞，并且被構造為輸入或輸出第三射頻信號和第四射頻信號，所述第四射頻信號具有與所述第三射頻信號的功率不同的功率。

9.根據權利要求8所述的射頻模塊，所述射頻模塊還包括：

金屬覆蓋層，設置在所述第一芯構件與所述第一上絕緣層之間，并且被設置為在豎直方向上與所述射頻集成電路或所述第二前端集成電路疊置，

其中，所述第一芯構件的一部分設置在所述射頻集成電路與所述第二前端集成電路之間。

10.根據權利要求1所述的射頻模塊，所述射頻模塊還包括：

電源管理集成電路，所述電源管理集成電路的至少一部分被所述第一芯構件或所述第二芯構件圍繞，并且被構造為向所述射頻集成電路和所述前端集成電路中的至少一個供電。

11.根據權利要求1所述的射頻模塊，其中，所述柔性基板包括液晶聚合物。