[發明專利]具有射頻模塊的電子裝置在審
| 申請號: | 202011082331.6 | 申請日: | 2020-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN112802828A | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發明(設計)人: | 金學龜;許榮植;羅裕森;金元基;金榮發;崔守基;姜鎬炅;任榮均;千成鐘 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/66 | 分類號: | H01L23/66;H01L23/498;H01L25/18;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 孫麗妍;馬翠平 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 射頻 模塊 電子 裝置 | ||
本發明提供一種具有射頻模塊的電子裝置,一種射頻裝置包括所述射頻模塊。所述射頻模塊包括第一基板、第二基板、射頻集成電路(RFIC)、前端集成電路(FEIC)和柔性基板。所述RFIC的至少一部分被第一芯構件圍繞,并且所述RFIC被構造為輸入或輸出基礎信號和第一射頻(RF)信號,所述第一RF信號具有比所述基礎信號的頻率的高的頻率。所述FEIC的至少一部分被第二芯構件圍繞,并且所述FEIC被構造為輸入或輸出所述第一RF信號和第二RF信號,所述第二RF信號具有與所述第一RF信號的功率不同的功率。所述柔性基板被構造為將所述第一基板和所述第二基板彼此連接,為所述第一RF信號提供傳輸路徑,并且比所述第一基板和所述第二基板柔韌。
本申請要求分別于2019年11月13日和2020年2月21日提交到韓國知識產權局的第10-2019-0145360號韓國專利申請和第10-2020-0021584號韓國專利申請的優先權的權益,所述韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用被包含于此。
技術領域
本申請涉及一種射頻模塊以及包括該射頻模塊的電子裝置。
背景技術
用于移動通信的數據流量每年都在快速增長。正在進行技術開發以支持在無線網絡中實時地對這樣快速增長的數據流量進行數據傳輸。例如,基于物聯網(IoT)的數據、增強現實(AR)、虛擬現實(VR)、與社交網絡服務(SNS)結合的實況VR/AR、自主導航以及同步視窗(使用超小型相機的用戶實時視頻傳輸)使能夠支持大量數據的發送和接收的通信方法(例如,第五代(5G)通信以及毫米波(mmWave)通信)成為必要。
包括5G通信的mmWave通信的天線模塊正在被標準化和商業化,以有效地輸送所需的數據容量。
發明內容
提供本發明內容以按照簡化的形式對選擇的構思進行介紹,下面在具體實施方式中進一步描述所述構思。本發明內容既不意在限定所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征,也不意在用作幫助確定所要求保護的主題的范圍。
本公開的一方面在于提供一種射頻模塊和包括該射頻模塊的電子裝置。
在一個總體方面,一種射頻裝置包括一種射頻模塊。所述射頻模塊包括第一基板、第二基板、射頻集成電路(RFIC)、前端集成電路(FEIC)和柔性基板。所述第一基板包括至少一個第一下絕緣層和至少一個第一下布線層交替地堆疊的第一下連接構件、設置在所述第一下連接構件上方的第一芯構件以及設置在所述第一芯構件上方的第一上絕緣層。所述第二基板包括至少一個第二下絕緣層和至少一個第二下布線層交替地堆疊的第二下連接構件、設置在所述第二下連接構件上方的第二芯構件以及設置在所述第二芯構件上方的第二上絕緣層。所述RFIC的至少一部分被所述第一芯構件圍繞,并且所述RFIC被構造為輸入或輸出基礎信號和第一射頻(RF)信號,所述第一RF信號具有比所述基礎信號的頻率高的頻率。所述FEIC的至少一部分被所述第二芯構件圍繞,并且所述FEIC被構造為輸入或輸出所述第一RF信號和第二RF信號,所述第二RF信號具有與所述第一RF信號的功率不同的功率。柔性基板被構造為將所述第一基板和所述第二基板彼此連接,為所述第一RF信號提供傳輸路徑,并且比所述第一基板和所述第二基板柔韌。
所述RFIC可設置在所述至少一個第一下絕緣層與所述第一上絕緣層之間,并且所述FEIC可設置在所述至少一個第二下絕緣層與所述第二上絕緣層之間。
所述射頻模塊還可包括金屬覆蓋層,所述金屬覆蓋層設置在所述第一芯構件與所述第一上絕緣層之間或者所述第二芯構件與所述第二上絕緣層之間,并且被設置為在豎直方向上與所述RFIC或所述FEIC疊置。
所述射頻模塊還可包括第二天線,所述第二天線被構造為發送或接收所述第二RF信號,并且設置在所述第二基板上。
所述射頻模塊還可包括第二芯過孔,所述第二芯過孔電連接到所述至少一個第二下布線層,并且被設置為貫穿所述第二芯構件。所述第二天線可電連接到所述第二芯過孔,并且設置在所述第二芯構件的上方或者所述FEIC的上方。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電機株式會社,未經三星電機株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011082331.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:逆變器裝置
- 下一篇:一種環氧樹脂硫化絕緣母線槽硫化涂浸裝置





