[發明專利]覆晶接合結構及其線路基板在審
| 申請號: | 202011077836.3 | 申請日: | 2020-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN113133183A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 馬宇珍;黃信豪;周文復;許國賢 | 申請(專利權)人: | 頎邦科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K1/02 | 分類號: | H05K1/02;H05K1/18 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張琳 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接合 結構 及其 線路 | ||
本發明揭露一種覆晶接合結構及其線路基板。所述覆晶接合結構,其具有線路基板,該線路基板具有載板、多個內引腳、T型線路及虛設金屬圖案,所述內引腳、該T型線路及該虛設金屬圖案位于該載板的內接合區,該T型線路具有主線段、連接段及支線段,該連接段連接該主線段及該支線段,該主線段沿著橫軸方向延伸,該支線段沿著縱軸方向延伸,該虛設金屬圖案位于該連接段及所述內引腳之間。
技術領域
本發明關于一種覆晶接合結構,其晶片接合于具有T型線路及虛設金屬圖案的線路基板。
背景技術
線路蝕刻制程是借由蝕刻液蝕刻圖案化光阻顯露的金屬層,將圖案轉移至金屬層以形成精細線路圖案,蝕刻液是在圖案化光阻之間流動,以均勻蝕刻顯露的金屬層,然而當蝕刻液流動至被三面光阻圍繞的空間時,蝕刻液流動性會降低而蓄積于被光阻三面圍繞的空間中,蝕刻液停留時間過長,可能導致過度蝕刻,使得精細線路斷線而失效。
發明內容
本發明的目的在于提供一覆晶接合結構及其線路基板,在T型線路周圍設置虛設金屬圖案,以避免T型線路因蝕刻液過度蝕刻而斷線。
本發明揭露一種線路基板,其包含載板、多個內引腳、至少一個T型線路及至少一個虛設金屬圖案,該載板具有表面,該表面定義有內接合區,該內接合區具有第一區及第二區,該第一區位于該第二區外側,所述內引腳位于該第一區,該T型線路位于該第二區且具有主線段、連接段及支線段,該主線段連接該連接段并沿著橫軸方向延伸,該支線段連接該連接段并沿著縱軸方向朝該第一區延伸,該支線段用以接合凸塊,該虛設金屬圖案位于該連接段及所述內引腳之間,該虛設金屬圖案未電性連接所述內引腳及該T型線路。
較佳地,其中該主線段沿著該縱軸方向具有第一寬度,該連接段沿著該縱軸方向具有第二寬度,該第二寬度小于該第一寬度。
較佳地,其中該支線段沿著該橫軸方向具有第三寬度,該第二寬度與該第三寬度的比值不小于0.5。
較佳地,其中該支線段沿著該縱軸方向朝其中的一個該內引腳延伸。
較佳地,其中該支線段沿著該縱軸方向延伸至相鄰的兩個該內引腳之間。
較佳地,其中該支線段具有第一端及第二端,該第一端連接該連接段,該第二端用以接合該凸塊,該第一端的線寬大于該第二端的線寬。
較佳地,其中該支線段具有第一端及第二端,該第一端連接該連接段,該第二端用以接合該凸塊,該第一端及該第二端彼此垂直。
較佳地,其具有二虛設金屬圖案,所述虛設金屬圖案分別位于該支線段兩側。
本發明另揭露一種覆晶接合結構,其包含上述的該線路基板、晶片及焊料層,該晶片設置于該內接合區且具有多個第一凸塊及至少一個第二凸塊,該焊料層位于該線路基板及該晶片之間,用以接合所述第一凸塊及所述內引腳的該內引腳,并用以接合該第二凸塊及該支線段。
較佳地,其中該第二凸塊具有第四寬度,該第二寬度與該第四寬度的比值小于2。
較佳地,其中該連接段沿著該橫軸方向具有第一長度,該第二凸塊具有第二長度,該第一長度與該第二長度的比值不小于4。
較佳地,其中該連接段至該第二凸塊之間具有直線距離,該直線距離與該第二寬度的比值不小于3。
本發明于該連接段及所述內引腳之間設置該虛設金屬圖案,使該虛設金屬圖案位于該連接段、該支線段及所述內引腳所圍繞的空間中,因此蝕刻液不會蓄積于該連接段及該支線段周圍,可避免蝕刻液過度蝕刻該T型線路而導致該連接段及/或該支線段斷線。
附圖說明
圖1:依據本發明的一實施例,載板的俯視圖。
圖2:依據本發明的一實施例,覆晶接合結構的俯視圖。
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