[發明專利]基片處理裝置和裝置清洗方法在審
| 申請號： | 202011077702.1 | 申請日： | 2020-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN112687576A | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發明（設計）人： | 荒竹英將;黑田修;金川耕三 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳;徐飛躍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 裝置 清洗 方法 | ||
本發明提供一種基片處理裝置，其包括處理槽、貯存部、承液部、貯存部排出管和承液部排出管。處理槽能夠收納多個基片且貯存處理液。貯存部與處理槽連接，貯存從處理槽排出的處理液。承液部承接從處理槽灑出的處理液。貯存部排出管將貯存于貯存部中的液體排出。承液部排出管將由承液部承接的液體向設置于外部的外部排出管排出。根據本發明，在進行批處理的基片處理裝置中，能夠抑制排液線路的堵塞。
技術領域
本發明涉及基片處理裝置和裝置清洗方法。
背景技術
現有技術中，通過將由多個基片構成的批次(批量基片)浸漬于貯存有處理液的處理槽中，對一批量的基片一次性進行處理的批處理。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開平3-38827號公報。
發明內容
發明要解決的技術問題
本發明提供一種在進行批處理的基片處理裝置中，能夠抑制排液線路的堵塞的技術。
用于解決問題的技術手段
本發明的一個方式的基片處理裝置包括處理槽、貯存部、承液部、貯存部排出管和承液部排出管。處理槽能夠收納多個基片且貯存處理液。貯存部與處理槽連接，貯存從處理槽排出的處理液。承液部承接從處理槽灑出的處理液。貯存部排出管將貯存于貯存部中的液體排出。承液部排出管將由承液部承接的液體向設置于外部的外部排出管排出。根據本發明，在進行批處理的基片處理裝置中，能夠抑制排液線路的堵塞。
發明的效果
根據本發明，在進行批處理的基片處理裝置中，能夠抑制排液線路的堵塞。
附圖說明
圖1是第1實施方式的基片處理裝置的俯視圖。
圖2是表示第1實施方式的蝕刻用的處理槽的結構的框圖。
圖3是表示第1實施方式的蝕刻處理裝置的結構的圖。
圖4是表示第1實施方式的清洗處理的流程的流程圖。
圖5是表示第1變形例的清洗處理的流程的流程圖。
圖6是表示第2變形例的清洗處理的流程的流程圖。
圖7是表示第3變形例的清洗處理的流程的流程圖。
圖8是表示第1實施方式的箱排出處理的流程的流程圖。
圖9是表示第2實施方式的蝕刻處理裝置的結構的圖。
圖10是表示第2實施方式的箱清洗處理的流程的流程圖。
圖11是表示第2實施方式的分支管清洗處理的流程的流程圖。
圖12是表示第3實施方式的蝕刻處理裝置的結構的圖。
圖13是表示第4實施方式的蝕刻處理裝置的結構的圖。
圖14是表示第4變形例的清洗部的結構的圖。
圖15是表示第5變形例的清洗部的結構的圖。
附圖標記說明
W 晶片
1 基片處理裝置
60 蝕刻處理裝置
61 處理槽
200 承液部
201 第1承液部
202 第2承液部
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
