[發明專利]基片處理裝置和裝置清洗方法

在審

• 申請號: 202011077702.1
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN112687576A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 荒竹英將;黑田修;金川耕三
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

能夠收納多個基片且貯存處理液的處理槽；

貯存部，其與所述處理槽連接，貯存從所述處理槽排出的所述處理液；

承接從所述處理槽灑出的所述處理液的承液部；

將貯存于所述貯存部中的液體排出的貯存部排出管；和

將由所述承液部承接的液體向設置于外部的外部排出管排出的承液部排出管。

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述處理液含有磷酸和溶解的含硅化合物。

3.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：

分支管，其連接所述承液部排出管的中途部和所述貯存部，將所述承液部排出管中流動的液體排出到所述貯存部；

清洗部，其向所述承液部供給清洗液，所述清洗液用于除去源自所述處理液的結晶物；和

切換部，其使所述承液部排出管中流動的液體的流出目的地在所述外部排出管與所述貯存部之間切換。

4.如權利要求3所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述清洗液具有第1液和第2液，

所述清洗部包括：

供給所述第1液的第1液供給管；

供給所述第2液的第2液供給管；

釋放管，其與所述第1液供給管和所述第2液供給管連接，向所述承液部釋放所述清洗液、所述第1液或所述第2液；

第1液流量調節部，其設置于所述第1液供給管，用于調節所述第1液供給管中流動的所述第1液的流量；和

第2液流量調節部，其設置于所述第2液供給管，用于調節所述第2液供給管中流動的所述第2液的流量。

5.如權利要求4所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述第1液為純水，

所述第2液為氟化氫。

6.如權利要求3～5中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：

檢測所述貯存部內的液面的液面檢測部；和

控制所述清洗部和所述切換部的控制部，

所述控制部，基于所述液面檢測部的檢測結果，監視所述貯存部內的液面的下降時間，在所述下降時間超過了閾值的情況下，控制所述切換部，將所述流出目的地切換為所述貯存部，控制所述清洗部，將所述清洗液供給到所述承液部。

7.如權利要求3～5中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：

檢測所述貯存部內的液面的液面檢測部；和

控制所述清洗部和所述切換部的控制部，

所述控制部，在所述流出目的地被切換為所述貯存部的狀態下，基于所述液面檢測部的檢測結果，監視所述貯存部內的液面的上升時間，在所述上升時間超過了閾值的情況下控制所述清洗部，將所述清洗液供給到所述承液部。

8.如權利要求1～7中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括向所述承液部排出管的內部吹出氣體的氣體吹掃部。

9.如權利要求1～8中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述承液部包括：

配置在所述處理槽的下方的第1承液部；和

能夠收納所述處理槽和所述第1承液部的第2承液部，

所述基片處理裝置還包括對所述第2承液部的內部進行排氣的排氣部。

10.一種清洗權利要求3所述的基片處理裝置的裝置清洗方法，其特征在于，包括：

用所述切換部將所述流出目的地從所述外部排出管切換為所述貯存部的步驟；和

在將所述流出目的地切換為所述貯存部之后，從所述清洗部將所述清洗液供給到所述承液部，由此用所述清洗液清洗所述貯存部的步驟。