[發明專利]半導體器件制造方法、半導體器件及存儲器

在審

• 申請號: 202011077071.3
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN114334828A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 張仕然;孫正慶;于有權
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/108
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成淺溝槽隔離結構和若干個間隔排布的凹槽，相鄰兩個所述凹槽之間形成襯底凸起；

在所述半導體襯底表面沉積柵極氧化層，所述柵極氧化層覆蓋所述凹槽和所述襯底凸起；

在所述柵極氧化層上形成柵極結構，所述柵極結構包括第一柵極結構和第二柵極結構，所述第一柵極結構覆蓋所述襯底凸起表面；

在所述半導體襯底內形成源極和漏極，所述柵極氧化層、所述柵極結構、所述源極和所述漏極構成晶體管器件。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述晶體管器件包括第一晶體管器件和第二晶體管器件，所述第一晶體管器件包括所述第一柵極結構。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一晶體管器件位于所述淺溝槽隔離結構的一側，所述第二晶體管位于所述淺溝槽隔離結構的另一側。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述柵極氧化層上形成柵極結構包括：

于所述柵極氧化層上形成多晶硅層，所述多晶硅層覆蓋所述柵極氧化層表面；

于所述多晶硅層上形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述多晶硅層表面；

于所述阻擋層上形成導電金屬層，所述導電金屬層覆蓋所述阻擋層表面；

于所述導電金屬層上形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述導電金屬層表面；

刻蝕部分所述多晶硅層、部分所述阻擋層、部分所述導電金屬層、部分所述絕緣層，形成所述柵極結構。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述半導體襯底內形成源極和漏極，包括：

通過離子注入技術向所述半導體襯底內注入離子以形成所述源極和所述漏極。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述半導體襯底上形成淺溝槽隔離結構和若干個間隔排布的凹槽，包括：

在所述半導體襯底上依次形成掩膜層、抗反射層、具有圖形的第一光刻層；

以所述第一光刻層作為掩膜刻蝕部分所述抗反射層，在所述抗反射層上形成若干個間隔排布的凸起；

去除所述第一光刻層，于所述抗反射層上形成具有圖形的第二光刻層，所述第二光刻層不覆蓋所述抗反射層上的凸起；

以所述第二光刻層作為掩膜刻蝕部分所述掩膜層，部分所述半導體襯底，在所述半導體襯底上形成若干個間隔排布的所述凹槽和隔離槽；

沉積介電層于所述隔離槽內，所述介電層和所述隔離槽構成所述淺溝槽隔離結構。

7.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底上包括淺溝槽隔離結構和若干個間隔排布的凹槽，相鄰兩個所述凹槽之間形成襯底凸起；

柵極氧化層，所述柵極氧化層沉積于所述半導體襯底表面，所述柵極氧化層覆蓋所述凹槽和所述襯底凸起；

柵極結構，所述柵極結構形成于所述柵極氧化層上，所述柵極結構包括第一柵極結構和第二柵極結構，所述第一柵極結構覆蓋所述襯底凸起的表面；

源極和漏極，所述源極和所述漏極形成于所述半導體襯底內。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極結構包括：

多晶硅層，所述多晶硅層形成于所述柵極氧化層上并覆蓋所述柵極氧化層表面；

阻擋層，所述阻擋層形成于所述多晶硅層上并覆蓋所述多晶硅層表面；

導電金屬層，所述導電金屬層形成于所述阻擋層上并覆蓋所述阻擋層表面；

絕緣層，所述絕緣層形成于所述導電金屬層上并覆蓋所述導電金屬層表面。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極氧化層、所述柵極結構、所述源極和所述漏極構成晶體管器件，所述晶體管器件包括第一晶體管器件和第二晶體管器件，所述第一晶體管器件包括所述第一柵極結構。

10.一種存儲器，其特征在于：包括陣列區和外圍區，所述外圍區包括由權利要求1-6任一項所述的制造方法所制造的半導體器件。