[發(fā)明專利]一種存儲芯片的提高安全性的封裝方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011075557.3 | 申請日: | 2020-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN112216604B | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 吳佳;李禮;苗詩君;邢培棟;張旗;余云 | 申請(專利權)人: | 上海威固信息技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司: | 長春科宇專利代理有限責任公司 22001 | 代理人: | 馬寶來 |
| 地址: | 201702 上海市青*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 存儲 芯片 提高 安全性 封裝 方法 裝置 | ||
本發(fā)明提出一種存儲芯片的提高安全性的封裝方法及裝置,包括:獲取承載板的第一圖像信息;提取在所述承載板上放置第一芯片的位置信息;第一芯片包括A面和B面,第一芯片的B面包括放置第二芯片的凹槽;將第一芯片的A面根據(jù)位置信息放置在承載板上;將第二芯片放在所述凹槽中;所述第二芯片包括C面和D面;分別對第一芯片及第二芯片進行降低熱應力處理,在所述第一芯片的B面生成第一應力消散層,在所述第二芯片的D面生成第二應力消散層;將導熱板設置在所述第一應力消散層及所述第二應力消散層上;將肋片散熱板設置在導熱板上;獲取承載板的第二圖像信息;對所述承載板進行打磨處理,提高了封裝質量及安全性。
技術領域
本發(fā)明涉及芯片封裝技術領域,特別涉及一種存儲芯片的提高安全性的封裝方法及裝置。
背景技術
隨著科學技術的不斷發(fā)展,存儲芯片的集成度持續(xù)改進,增加了對存儲芯片在封裝技術上的需要?,F(xiàn)有技術中對存儲芯片的封裝質量差,容易導致存儲芯片的損壞,降低存儲芯片的使用壽命,封裝安全性不高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少一定程度上解決上述技術中的技術問題之一。為此,本發(fā)明的第一個目的在于提出一種存儲芯片的提高安全性的封裝方法,使得對存儲芯片的封裝質量及封裝安全性高,避免在封裝過程中存儲芯片的損壞,延長了存儲芯片的使用壽命,降低了成本,同時提高了對存儲芯片的封裝合格率。
本發(fā)明的第二個目的在于提出一種存儲芯片的提高安全性的封裝裝置。
為達到上述目的,本發(fā)明第一方面實施例提出了一種存儲芯片的提高安全性的封裝方法,包括:
獲取承載板的第一圖像信息;
根據(jù)所述第一圖像信息基于圖像識別技術提取在所述承載板上放置第一芯片的位置信息;所述第一芯片包括A面和B面,所述第一芯片的B面包括放置第二芯片的凹槽;
夾取所述第一芯片,將所述第一芯片的A面根據(jù)所述位置信息放置在所述承載板上;
夾取第二芯片,將所述第二芯片放在所述凹槽中;所述第二芯片包括C面和D面,所述第二芯片的C面朝向所述凹槽;
分別對所述第一芯片及所述第二芯片進行降低熱應力處理,在所述第一芯片的B面生成第一應力消散層,在所述第二芯片的D面生成第二應力消散層;
夾取導熱板,設置在所述第一應力消散層及所述第二應力消散層上;
夾取肋片散熱板,設置在所述導熱板上;
獲取所述承載板的第二圖像信息;
根據(jù)所述第二圖像信息對所述承載板進行打磨處理。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,在獲取所述獲取承載板的第二圖像信息之前,還包括:夾取防腐板設置在所述肋片散熱板上。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,所述根據(jù)所述第一圖像信息基于圖像識別技術提取在所述承載板上放置第一芯片的位置信息,包括:
對所述第一圖像信息進行圖像去噪后進行標準化處理,使得第一圖像的尺寸與預設圖像的尺寸一致;
將進行標準化處理后的第一圖像信息建立坐標系,確定第一圖像信息中的放置第一芯片的像素區(qū)域;
判斷所述像素區(qū)域是否完整,在確定所述像素區(qū)域完整時,沿著所述像素區(qū)域的邊界生成像素分割線,所述像素分割線選中的區(qū)域為放置第一芯片的位置區(qū)域,進而生成放置第一芯片的位置信息。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,所述根據(jù)所述第二圖像信息對所述承載板進行打磨處理后,對封裝后的存儲芯片中的肋片散熱板的散熱效率進行計算,在確定散熱效率小于預設散熱效率時,發(fā)出報警提示;
計算肋片散熱板散熱效率,包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





