[發明專利]一種存儲芯片的提高安全性的封裝方法及裝置有效
| 申請號: | 202011075557.3 | 申請日: | 2020-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN112216604B | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 吳佳;李禮;苗詩君;邢培棟;張旗;余云 | 申請(專利權)人: | 上海威固信息技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司: | 長春科宇專利代理有限責任公司 22001 | 代理人: | 馬寶來 |
| 地址: | 201702 上海市青*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 存儲 芯片 提高 安全性 封裝 方法 裝置 | ||
1.一種存儲芯片的提高安全性的封裝方法,其特征在于,包括:
獲取承載板的第一圖像信息;
根據所述第一圖像信息基于圖像識別技術提取在所述承載板上放置第一芯片的位置信息;所述第一芯片包括A面和B面,所述第一芯片的B面包括放置第二芯片的凹槽;
夾取所述第一芯片,將所述第一芯片的A面根據所述位置信息放置在所述承載板上;
夾取第二芯片,將所述第二芯片放在所述凹槽中;所述第二芯片包括C面和D面,所述第二芯片的C面朝向所述凹槽;
分別對所述第一芯片及所述第二芯片進行降低熱應力處理,在所述第一芯片的B面生成第一應力消散層,在所述第二芯片的D面生成第二應力消散層;
夾取導熱板,設置在所述第一應力消散層及所述第二應力消散層上;
夾取肋片散熱板,設置在所述導熱板上;
獲取所述承載板的第二圖像信息;
根據所述第二圖像信息對所述承載板進行打磨處理。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,在獲取所述獲取承載板的第二圖像信息之前,還包括:夾取防腐板設置在所述肋片散熱板上。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據所述第一圖像信息基于圖像識別技術提取在所述承載板上放置第一芯片的位置信息,包括:
對所述第一圖像信息進行圖像去噪后進行標準化處理,使得第一圖像的尺寸與預設圖像的尺寸一致;
將進行標準化處理后的第一圖像信息建立坐標系,確定第一圖像信息中的放置第一芯片的像素區域;
判斷所述像素區域是否完整,在確定所述像素區域完整時,沿著所述像素區域的邊界生成像素分割線,所述像素分割線選中的區域為放置第一芯片的位置區域,進而生成放置第一芯片的位置信息。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據所述第二圖像信息對所述承載板進行打磨處理后,對封裝后的存儲芯片中的肋片散熱板的散熱效率進行計算,在確定散熱效率小于預設散熱效率時,發出報警提示;
計算肋片散熱板散熱效率,包括:
計算存儲芯片的產生熱量Q1:
其中,K為第一芯片及第二芯片與導熱板的導熱系數;S1為第一芯片的面積;S2為第二芯片的面積;T為第一芯片與第二芯片形成的組合芯片的溫度參數;x為組合芯片的長度參數;為組合芯片的溫度梯度;
計算肋片散熱板的散熱熱量Q2:
其中,N為肋片散熱板包括的肋片的數量;w為肋片之間的導熱系數;S3為單個肋片的面積;T1為肋片上的平均溫度;z為肋片散熱板的對流換熱系數;l為單個肋片的周長;th()為雙曲正切函數;H為肋片的高度;
根據存儲芯片的產生熱量Q1及肋片散熱板的散熱熱量Q2,計算肋片散熱板的散熱效率η:
在確定散熱效率小于預設散熱效率時,發出報警提示。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,在夾取所述第一芯片前,還包括對所述第一芯片進行故障檢測,在確定所述第一芯片無故障時,夾取第一芯片進行封裝;
對所述第一芯片進行故障檢測,包括:
獲取所述第一芯片的第三圖像信息;
對所述第三圖像信息進行灰度化處理,計算得到第三圖像的平均灰度值;
獲取第一芯片的標準圖像;
對所述第一芯片的標準圖像進行灰度化處理,計算得到標準圖像的標準灰度值;
將第三圖像的平均灰度值與標準圖像的標準灰度值進行比較,在確定第三圖像的平均灰度值小于標準圖像的標準灰度值時,表示第一芯片表面上不存在瑕疵;
在確定第一芯片表面上不存在瑕疵時,分別檢測第一芯片上相鄰有源器件之間的電流大小及流向;每兩個相鄰有源器件作為一個待檢測組,進行編號;
獲取各個待檢測組的電流大小及流向,在確定至少一個待檢測組的電流大小與預設電流不一致且電流方向與預設電流方向不一致時,表示第一芯片存在故障;反之,表示第一芯片不存在故障。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





