[發明專利]像素結構

在審

• 申請號: 202011072237.2
• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN112259577A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 周思思
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 官建紅

本發明提供的像素結構包括襯底、設置在襯底上方的源漏極層、設置在源漏極層上的第一平坦層、以及數據線，其中，數據線和源漏極層異面設置，且數據線所在膜層遠離柵極層和源漏極層；通過將數據線設置在遠離柵極層和源漏極層的異面膜層上，增大了數據線距離掃描線和柵極電位點之間的距離，降低掃描線信號和柵極電位點信號容易受到數據線信號的干擾程度。

技術領域

本發明涉及OLED顯示技術領域，尤其涉及一種像素結構。

背景技術

在現有OLED顯示面板的像素結構中，如圖3所示，柵極電位點為控制驅動TFT柵極電位的一個點位，數據線與源漏極層同層設置，數據線信號對掃描線信號、以及柵極電位點信號有很強的干擾，因此，現有OLED顯示面板存在數據線對掃描線和柵極電位點的信號干擾的技術問題。

發明內容

本發明實施例提供一種像素結構，可緩解現有像素結構中掃描線信號容易受到數據線信號干擾的技術問題。

本發明實施例提供一種像素結構，包括襯底、以及設置在所述襯底上方的緩沖層、有源層、柵絕緣層、柵極層、層間絕緣層、源漏極層、第一平坦層、以及數據線，其中，所述數據線與所述源漏極層異面設置，且所述數據線所在膜層遠離所述柵極層和所述源漏極層。

在本發明實施例提供的像素結構中，所述像素結構還包括掃描線，所述掃描線與所述柵極層同層設置，柵極電位點與所述源漏極層同層設置，其中，所述數據線設置在所述第一平坦層上方。

在本發明實施例提供的像素結構中，電源金屬走線包括對應設置的第一金屬走線和第二金屬走線，所述第一金屬走線與所述源漏極層同層設置，所述第二金屬走線設置在所述第一平坦層上，所述第二金屬走線與所述第一金屬走線通過過孔以并聯的方式電連接。

在本發明實施例提供的像素結構中，所述數據線與所述第二金屬走線同層設置，所述數據線上設置有第二平坦層。

在本發明實施例提供的像素結構中，所述數據線與所述第二金屬走線絕緣設置。

在本發明實施例提供的像素結構中，所述第一平坦層的厚度大于所述第二平坦層的厚度。

在本發明實施例提供的像素結構中，所述第二平坦層厚度的范圍為所述第一平坦層厚度的三分之一至二分之一。

在本發明實施例提供的像素結構中，所述第一平坦層上設置有陽極，所述數據線與所述陽極同層且絕緣設置。

在本發明實施例提供的像素結構中，所述第一平坦層上設置有陽極，所述陽極上方設置有陰極，所述數據線與所述陰極同層且絕緣設置。

在本發明實施例提供的像素結構中，所述數據線與所述掃描線/柵極電位點之間的連線與襯底的銳角夾角范圍為15度至45度。

有益效果：本發明實施例提供的像素結構包括襯底、以及設置在所述襯底上方的緩沖層、有源層、柵絕緣層、柵極層、層間絕緣層、源漏極層、第一平坦層、以及數據線，其中，所述數據線與所述源漏極層異面設置，且所述數據線所在膜層遠離所述柵極層和所述源漏極層；通過將數據線設置在遠離所述柵極層和所述源漏極層的異面膜層上，增大了數據線距離掃描線和柵極電位點之間的距離，緩解了現有像素結構中掃描線信號和柵極電位點信號容易受到數據線信號干擾的技術問題。

附圖說明

下面結合附圖，通過對本發明的具體實施方式詳細描述，將使本發明的技術方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為本發明實施例提供的像素結構的俯視透視圖；

圖2為本發明實施例提供的像素結構的截面示意圖；

圖3為本發明實施例提供的像素結構的像素電路圖。

具體實施方式