[發明專利]像素結構

在審

• 申請號: 202011072237.2
• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN112259577A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 周思思
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 官建紅

1.一種像素結構，其特征在于，包括襯底、以及設置在所述襯底上方的緩沖層、有源層、柵絕緣層、柵極層、層間絕緣層、源漏極層、第一平坦層、以及數據線，其中，所述數據線與所述源漏極層異面設置，且所述數據線所在膜層遠離所述柵極層和所述源漏極層。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構還包括掃描線，所述掃描線與所述柵極層同層設置，柵極電位點與所述源漏極層同層設置，其中，所述第一平坦層設置在所述源漏極層上，所述數據線設置在所述第一平坦層上方。

3.如權利要求2所述的像素結構，其特征在于，電源金屬走線包括對應設置的第一金屬走線和第二金屬走線，所述第一金屬走線與所述源漏極層同層設置，所述第二金屬走線設置在所述第一平坦層上，所述第二金屬走線與所述第一金屬走線通過過孔以并聯的方式電連接。

4.如權利要求3所述的像素結構，其特征在于，所述數據線與所述第二金屬走線同層設置，所述數據線上設置有第二平坦層。

5.如權利要求4所述的像素結構，其特征在于，所述數據線與所述第二金屬走線絕緣設置。

6.如權利要求4所述的像素結構，其特征在于，所述第一平坦層的厚度大于所述第二平坦層的厚度。

7.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述第二平坦層厚度的范圍為所述第一平坦層厚度的三分之一至二分之一。

8.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一平坦層上設置有陽極，所述數據線與所述陽極同層且絕緣設置。

9.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一平坦層上設置有陽極，所述陽極上方設置有陰極，所述數據線與所述陰極同層且絕緣設置。

10.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述數據線與所述掃描線/柵極電位點之間的連線與襯底的銳角夾角范圍為15度至45度。