[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202011071707.3
• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN112242406A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 張軍
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 官建紅

本發明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，所述陣列基板包括：基板；氧化物半導體層，設置于所述基板上；阻擋層，設置于所述氧化物半導體層上；氧化物保護層，設置于所述阻擋層上；柵極絕緣層，設置于所述阻擋層和所述氧化物保護層上；以及柵極，設置于所述柵極絕緣層上。由此，能夠有效地降低外界環境中的酸、水、氧氣等因素對陣列基板的電學性能產生干擾，而且還可以有效地阻擋濕法蝕刻時對氧化物半導體層過度刻蝕而造成斷線等工藝不穩定的問題，從而能夠穩定不同批次的陣列基板的電學性能，并提高陣列基板的電子遷移率和器件穩定性。

技術領域

本發明大體上涉及顯示技術領域，并且更具體地涉及陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅動頻率也不斷提高，傳統的非晶硅薄膜晶體管由于其電子遷移率而很難滿足需求。相比于傳統的非晶硅薄膜晶體管，IGZO(IndiumGallium Zinc Oxide：銦鎵鋅氧化物)薄膜晶體管具備較好的物理性質，包括低工藝溫度帶來的高電子遷移率、優良的均勻性、以及表面平坦性等，這可以為顯示技術領域的發展提供幫助。

然而，由于IGZO薄膜晶體管中的IGZO層對環境比較敏感，特別是在IGZO層暴露于空氣中時，其表面缺陷容易吸收空氣中的H₂O和O₂，而導致IGZO層中的氧空缺增加，從而增加載流子的濃度，最終會影響IGZO薄膜晶體管器件的電學性能。另外，在形成IGZO薄膜晶體管的其它膜層時，IGZO層容易受到刻蝕液的過度刻蝕，從而造成斷線等工藝不穩定的問題。

發明內容

鑒于上述內容，本發明提出了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以有效地降低外界環境中的酸、水、氧氣等對IGZO層的干擾，并有效地預防濕法蝕刻時對IGZO層過度刻蝕而造成斷線等工藝不穩定的問題。

為實現上述目的及其它相關目的，本發明的一方面提供了一種陣列基板，其包括：

基板；

氧化物半導體層，設置于所述基板上；

阻擋層，設置于所述氧化物半導體層上；

氧化物保護層，設置于所述阻擋層上；

柵極絕緣層，設置于所述阻擋層和所述氧化物保護層上；以及

柵極，設置于所述柵極絕緣層上。

在一些實施例中，所述氧化物保護層上設有一溝道，所述阻擋層在所述基板上的正投影至少覆蓋所述溝道在所述基板上的正投影。

在一些實施例中，所述陣列基板還包括：

層間介質層，設置于所述柵極、所述氧化物保護層和所述基板上；以及

源極和漏極，設置于所述層間介質層上，所述源極和漏極分別穿過所述層間介質層與所述氧化物保護層電連接。

在一些實施例中，所述氧化物半導體層的材料為C軸對齊的結晶銦鎵鋅氧化物。

在一些實施例中，所述氧化物保護層的材料為氧化銦錫。

在一些實施例中，所述阻擋層的材料為銦鎵鋅錫氧化物。

本發明的另一個方面提供了一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟：

提供一基板，在所述基板上形成氧化物半導體層；

在所述氧化物半導體層上形成阻擋層；

在所述阻擋層上形成氧化物保護層；以及

在所述阻擋層和所述氧化物保護層上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成柵極。

在一些實施例中，在所述基板上形成氧化物半導體層包括：