[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202011071707.3
• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN112242406A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 張軍
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 官建紅

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

氧化物半導體層，設置于所述基板上；

阻擋層，設置于所述氧化物半導體層上；

氧化物保護層，設置于所述阻擋層上；

柵極絕緣層，設置于所述阻擋層和所述氧化物保護層上；以及

柵極，設置于所述柵極絕緣層上。

2.根據權利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述氧化物保護層上設有一溝道，所述阻擋層在所述基板上的正投影至少覆蓋所述溝道在所述基板上的正投影。

3.根據權利要求2所述陣列基板，其特征在于，還包括：

層間介質層，設置于所述柵極、所述氧化物保護層和所述基板上；以及

源極和漏極，設置于所述層間介質層上，所述源極和漏極分別穿過所述層間介質層與所述氧化物保護層電連接。

4.根據權利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述氧化物半導體層的材料為C軸對齊的結晶銦鎵鋅氧化物。

5.根據權利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述氧化物保護層的材料為氧化銦錫。

6.根據權利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述阻擋層的材料為銦鎵鋅錫氧化物。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板，在所述基板上形成氧化物半導體層；

在所述氧化物半導體層上形成阻擋層；

在所述阻擋層上形成氧化物保護層；以及

在所述阻擋層和所述氧化物保護層上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成柵極。

8.根據權利要求7所述用于制作陣列基板的方法，其特征在于，在所述基板上形成氧化物半導體層包括：

在所述基板上形成銦鎵鋅氧化物層，并通過一高溫制程使所述銦鎵鋅氧化物層中的銦鎵鋅氧化物轉換為C軸對齊的結晶銦鎵鋅氧化物，以形成材料為C軸對齊的結晶銦鎵鋅氧化物的所述氧化物半導體層。

9.根據權利要求7所述用于制作陣列基板的方法，其特征在于，所述在所述阻擋層上形成氧化物保護層包括：

在所述阻擋層上形成氧化銦錫層；

在所述氧化銦錫層上形成一溝道，以形成所述氧化物保護層。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至6中任一項所述的陣列基板。