[發(fā)明專利]光學基板上貴金屬膜層的加工方法

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• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN111935914A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發(fā)明（設計）人: 吳岳;邢剛;陳銀培
• 申請（專利權）人: 浙江嘉美光電科技有限公司
• 主分類號: H05K3/12
• 分類號: H05K3/12;B41M1/12;B41M1/26;B41M7/00
• 代理公司: 杭州華知專利事務所(普通合伙) 33235
• 代理人: 張德寶

本發(fā)明提供了一種光學基板上貴金屬膜層的加工方法，包括以下步驟：在光學基板上做定位標記；將網版與光學基板定位后，將貴金屬漿液絲網印刷于光學基板上形成貴金屬膜層；高溫使貴金屬膜層固化。本發(fā)明提供的光學基板上貴金屬膜層的加工方法，采用絲網印刷工藝將貴金屬漿液印刷于光學基板上形成貴金屬膜層，并通過高溫將貴金屬膜層直接焊接于光學基板表面，能夠大大減小貴金屬的浪費，且工藝流程簡單易實現，降低了光學基板的加工成本，提高了其品質穩(wěn)定性。

技術領域

本發(fā)明涉及光學基板加工技術領域，特別涉及一種光學基板上貴金屬膜層的加工方法。

背景技術

目前LED行業(yè)發(fā)展對封裝基板的要求越來越高，尤其是要求其具有良好的散熱性能及光學性能，這就推動了石英基板、水晶基板等光學基板的應用。傳統(tǒng)LED封裝基板上貴金屬圖形化電路層的加工，一般使用鍍膜工藝。傳統(tǒng)工藝流程中使用蒸發(fā)鍍膜技術或者濺射鍍膜技術，鍍膜設備成本高，且在鍍膜過程中部分貴金屬材料鍍膜到設備腔體或者擋板上，需要回收，僅有50%左右的貴金屬材料鍍膜到基板表面，造成貴金屬材料的浪費且鍍膜效率低；另外，即使鍍膜到基板表面的貴金屬也會在后續(xù)的脫膠工藝中剝離進入廢液中。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種光學基板上貴金屬膜層的加工方法，以解決現有技術中貴金屬膜層加工成本高、效率低的技術問題。

為達到上述目的，本發(fā)明的技術方案是這樣實現的：

本發(fā)明提供了一種光學基板上貴金屬膜層的加工方法，包括以下步驟：S1、在光學基板上做定位標記；S2、將網版與所述光學基板定位后，將貴金屬漿液絲網印刷于所述光學基板上形成貴金屬膜層；S3、高溫使所述貴金屬膜層固化。

進一步地，所述光學基板為石英基板或者水晶基板。

進一步地，所述步驟S3中，所述貴金屬膜層的固化溫度為650℃~850℃。

進一步地，所述步驟S3具體包括：將表面形成有所述貴金屬膜層的所述光學基板放置在焊接爐中，將所述焊接爐中的溫度以60℃/min~100℃/min的速率升溫至所述固化溫度，固化30min~40min后，以60℃/min~100℃/min的速率降低至常溫，完成所述貴金屬膜層的固化。

進一步地，所述步驟S2中采用CCD光學對位的方法將絲網印刷用的所述網版與所述光學基板進行定位。

進一步地，在所述步驟S3之后，所述貴金屬膜層的加工方法還包括以下步驟：在所述光學基板的表面涂膠；對所述光學基板上的多余的貴金屬膜層區(qū)域以及非貴金屬膜層區(qū)域進行光刻、顯影；蝕刻去除多余的貴金屬膜層；將所述光學基板進行脫膠處理。

進一步地，所述貴金屬膜層的尺寸精度小于或者等于20μm。

進一步地，所述步驟S2中將所述貴金屬漿液進行絲網印刷的環(huán)境溫度為20℃~26℃。

本發(fā)明提供的光學基板上貴金屬膜層的加工方法，采用絲網印刷工藝將貴金屬漿液印刷于光學基板上形成貴金屬膜層，并通過高溫將貴金屬膜層直接焊接于光學基板表面，能夠大大減小貴金屬的浪費，且工藝流程簡單易實現，降低了光學基板的加工成本，提高了其品質穩(wěn)定性。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發(fā)明再作進一步詳細的說明。

本申請實施例提供了一種光學基板上貴金屬膜層的加工方法，包括以下步驟：S1、在光學基板上做定位標記；S2、將網版與光學基板定位后，將貴金屬漿液絲網印刷于光學基板上形成貴金屬膜層；S3、高溫使貴金屬膜層固化。