[發(fā)明專利]OLED顯示面板制備方法、OLED顯示面板和OLED顯示器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011069323.8
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN114335401A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡奇哲;王翠鈺;吳威諺
• 申請（專利權(quán)）人: 咸陽虹微新型顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 深圳精智聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44393
• 代理人: 夏聲平

1.一種OLED顯示面板制備方法，其特征在于，包括：

提供第一玻璃基板；

在所述第一玻璃基板上沉積彩色濾光層；

在所述彩色濾光層上涂布硅氧偶聯(lián)劑；

提供第二玻璃基板；

在所述第二玻璃基板上依次沉積陣列基板層和發(fā)光層；

在所述發(fā)光層上沉積緩沖層；

將所述緩沖層的表面與所述硅氧偶聯(lián)劑貼合發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以形成封裝層，從而完成OLED顯示面板的制備。

2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，所述將所述緩沖層的表面與所述硅氧偶聯(lián)劑貼合發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以形成封裝層，包括：

所述硅氧偶聯(lián)劑與所述緩沖層的表面發(fā)生脫水縮合反應(yīng)形成所述封裝層。

3.如權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，所述封裝層的厚度為1至2微米。

4.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，所述在所述第一玻璃基板上沉積彩色濾光層的制程溫度為250℃至300℃。

5.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板制備方法，其特征在于，所述緩沖層的材料為氧化硅和/或氮化硅。

6.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括：

第二玻璃基板；

陣列基板層，設(shè)置在所述第二玻璃基板上；

發(fā)光層，設(shè)置在所述陣列基板層上，

緩沖層，設(shè)置在所述發(fā)光層上；

封裝層，設(shè)置在所述緩沖層上；

彩色濾光層，設(shè)置在所述封裝層上；以及

第一玻璃基板，設(shè)置在所述彩色濾光層上；

其中，所述封裝層由硅氧偶聯(lián)劑和緩沖層的表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成。

7.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述封裝層由所述硅氧偶聯(lián)劑和所述緩沖層的表面發(fā)生脫水縮合反應(yīng)形成。

8.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述封裝層的厚度為1至2微米。

9.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述緩沖層的材料為氧化硅和/或氮化硅。

10.一種OLED顯示器，其特征在于，包括：如權(quán)利要求6-9任意一項所述的OLED顯示面板。