[發明專利]一種半導體晶片表面真空鍍膜機

在審

• 申請號: 202011067717.X
• 申請日: 2020-10-07
• 公開（公告）號: CN112159958A
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 楊保長
• 申請（專利權）人: 楊保長
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/56;C23C14/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體晶片表面真空鍍膜機，其結構包括冷卻裝置(1)、真空泵(2)、抽氣管(3)、真空腔(4)、輔助加熱片(5)、蒸發源(6)、卷輥(7)、電機(8)，所述輔助加熱片(5)貫穿真空腔(4)與蒸發源(6)相連通，所述冷卻裝置(1)底部安裝有卷輥(7)，所述抽氣管(3)一端與真空泵(2)相連，另一端與真空腔(4)相接，所述真空腔(4)與電機(8)通過電線進行電性連接，其特征在于：

所述冷卻裝置(1)包括有固定桿(11)、卡座(12)、薄膜(13)、展平槽(14)、導輥(15)、支撐板(16)，所述卡座(12)卡接在固定桿(11)，所述薄膜(13)貫穿在展平槽(14)內部，所述薄膜(13)通過展平槽(14)與導輥(15)相接，所述固定桿(11)安裝在真空腔(4)內部，所述固定桿(11)底部安裝有卷輥(7)。

2.根據權利要求1所述的一種半導體晶片表面真空鍍膜機，其特征在于：所述展平槽(14)包括有頂壓桿(141)、撐塊(142)、定位塊(143)、冷卻組件(144)，所述頂壓桿(141)安裝在定位塊(143)上，所述冷卻組件(144)設在撐塊(142)中間位置上，所述冷卻組件(144)與薄膜(13)相接觸，所述冷卻組件(144)通過薄膜(13)與導輥(15)相接。

3.根據權利要求2所述的一種半導體晶片表面真空鍍膜機，其特征在于：所述冷卻組件(144)包括有卡板(441)、轉輪(442)、連通管(443)、水冷輥(444)、導流盤(445)，所述水冷輥(444)嵌合在卡板(441)上，所述轉輪(442)內部中間位置設有導流盤(445)，所述連通管(443)一端與導流盤(445)相連，另一端與水冷輥(444)連通，所述轉輪(442)與撐塊(142)相接，所述轉輪(442)與頂壓桿(141)吻合，所述水冷輥(444)與薄膜(13)接觸，所述水冷輥(444)通過薄膜(13)與導輥(15)相接。

4.根據權利要求3所述的一種半導體晶片表面真空鍍膜機，其特征在于：所述導流盤(445)包括有冷凝管(X1)、循環導管(X2)、分水筒(X3)、儲水槽(X4)，所述冷凝管(X1)與循環導管(X2)安裝在分水筒(X3)內部，所述分水筒(X3)內設有儲水槽(X4)，所述分水筒(X3)安裝在轉輪(442)內部，所述儲水槽(X4)通過分水筒(X3)與連通管(443)連通。

5.根據權利要求3所述的一種半導體晶片表面真空鍍膜機，其特征在于：所述水冷輥(444)包括有凹槽(Y1)、限位板(Y2)、分流件(Y3)、接管(Y4)、接水槽(Y5)、導入件(Y6)，所述凹槽(Y1)上連接有限位板(Y2)，所述接水槽(Y5)設有分流件(Y3)和接管(Y4)，所述導入件(Y6)連接在凹槽(Y1)上，所述導入件(Y6)貫穿凹槽(Y1)與連通管(443)相接，所述凹槽(Y1)安裝于卡板(441)，所述分流件(Y3)與薄膜(13)接觸。

6.根據權利要求5所述的一種半導體晶片表面真空鍍膜機，其特征在于：所述分流件(Y3)包括有導水槽(Y31)、抵板(Y32)、分布件(Y33)、出口(Y34)、限制板(Y35)，所述限制板(Y35)通過抵板(Y32)貼合在導水槽(Y31)上，所述出口(Y34)通過分布件(Y33)與導水槽(Y31)連接，所述導水槽(Y31)底部與接管(Y4)相接通，所述導水槽(Y31)通過接管(Y4)與接水槽(Y5)連通，所述出口(Y34)與薄膜(13)相接觸。

7.根據權利要求6所述的一種半導體晶片表面真空鍍膜機，其特征在于：所述分布件(Y33)包括有分流條(331)、互通孔(332)，所述互通孔(332)扣接在分流條(331)上且兩者相連通，所述分流條(331)一端連接于導水槽(Y31)，另一端與出口(Y34)相接。