[發(fā)明專利]空隙檢測方法及裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011066110.X
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112180460A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦衡;李碧洲;紀(jì)秀范;尹雪露
• 申請（專利權(quán)）人: 艾普柯微電子（江蘇）有限公司
• 主分類號: G01V8/20
• 分類號: G01V8/20;G01J1/02
• 代理公司: 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415
• 代理人: 武娜

本申請?zhí)峁┮环N空隙檢測方法及裝置。本申請中，空隙檢測方法，應(yīng)用于空隙檢測裝置，空隙檢測裝置包括N個(gè)感光芯片，N個(gè)感光芯片沿第一方向排列，N為大于1的整數(shù)，所述方法，包括：獲取N個(gè)感光芯片采集的N個(gè)第一光強(qiáng)值；比較N個(gè)第一光強(qiáng)值，獲取N個(gè)第一光強(qiáng)值中最大的M個(gè)第一光強(qiáng)值；M為正整數(shù)；確定采集最大的M個(gè)第一光強(qiáng)值的M個(gè)感光芯片的第一位置信息；根據(jù)M個(gè)感光芯片的第一位置信息獲取空隙的第二位置信息。本申請的實(shí)施例，可以提高空隙檢測的精度，同時(shí)，可以降低空隙檢測的成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及物流檢測技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種空隙檢測方法及裝置。

背景技術(shù)

相關(guān)技術(shù)中，可以使用圖像傳感器進(jìn)行空隙檢測，但是造價(jià)比較高，而且后期圖形處理比較麻煩。另外，也可以通過相對設(shè)置的激光發(fā)射管、激光接收管(簡稱激光對管)進(jìn)行空隙檢測，造價(jià)比較低，但是由于激光發(fā)射管、激光接收管間隔一般大于2厘米，檢測結(jié)果精度不高。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請實(shí)施例提供一種空隙檢測方法及裝置，可以提高空隙檢測的精度，同時(shí)可以降低空隙檢測的成本。

本申請實(shí)施例提供了一種空隙檢測方法，應(yīng)用于空隙檢測裝置，所述空隙檢測裝置包括N個(gè)感光芯片，所述N個(gè)感光芯片沿第一方向排列，N為大于1的整數(shù)，所述方法，包括：

獲取所述N個(gè)感光芯片采集的N個(gè)第一光強(qiáng)值；

比較所述N個(gè)第一光強(qiáng)值，獲取所述N個(gè)第一光強(qiáng)值中最大的M個(gè)第一光強(qiáng)值；M為正整數(shù)；

確定采集所述最大的M個(gè)第一光強(qiáng)值的M個(gè)感光芯片的第一位置信息；

根據(jù)所述M個(gè)感光芯片的第一位置信息獲取空隙的第二位置信息。

在一個(gè)實(shí)施例中，N大于2；所述比較所述N個(gè)第一光強(qiáng)值，獲取所述N個(gè)第一光強(qiáng)值中最大的M個(gè)第一光強(qiáng)值，包括：

按照所述N個(gè)感光芯片的排列順序，從首個(gè)感光芯片采集的第一光強(qiáng)值開始，依次以從首個(gè)感光芯片采集的第一光強(qiáng)值至第N-L+1個(gè)感光芯片采集的第一光強(qiáng)值為首，每次獲取相鄰的L個(gè)第一光強(qiáng)值進(jìn)行比較，得到至少一個(gè)最大的第一光強(qiáng)值；L小于N；

當(dāng)所述N個(gè)第一光強(qiáng)值比較完畢后，獲得所述N個(gè)第一光強(qiáng)值中最大的M個(gè)第一光強(qiáng)值。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述根據(jù)所述M個(gè)感光芯片的第一位置信息獲取空隙的第二位置信息，包括：

獲取所述最大的M個(gè)第一光強(qiáng)值中位置相鄰的兩個(gè)感光芯片采集的兩個(gè)第一光強(qiáng)值；

獲取所述兩個(gè)第一光強(qiáng)值的第一比值；

根據(jù)所述第一比值以及所述位置相鄰的兩個(gè)感光芯片的第一位置信息獲取空隙的第二位置信息。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述感光芯片包括發(fā)光元件；所述比較所述N個(gè)第一光強(qiáng)值之后，還包括：

當(dāng)所述N個(gè)第一光強(qiáng)值相同時(shí)，開啟所述發(fā)光件；

獲取所述N個(gè)感光芯片采集的N個(gè)第二光強(qiáng)值；

比較所述N個(gè)第二光強(qiáng)值，獲取所述N個(gè)第二光強(qiáng)值中最小的M個(gè)第二光強(qiáng)值；

確定采集所述最小的M個(gè)第二光強(qiáng)值的M個(gè)感光芯片的第三位置信息；

根據(jù)所述M個(gè)感光芯片的第三位置信息獲取空隙的第二位置信息。

在一個(gè)實(shí)施例中，N大于2；所述比較所述N個(gè)第二光強(qiáng)值，獲取所述N個(gè)第二光強(qiáng)值中最小的M個(gè)第二光強(qiáng)值，包括：