[發明專利]空隙檢測方法及裝置

在審

• 申請號: 202011066110.X
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112180460A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 秦衡;李碧洲;紀秀范;尹雪露
• 申請（專利權）人: 艾普柯微電子（江蘇）有限公司
• 主分類號: G01V8/20
• 分類號: G01V8/20;G01J1/02
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 武娜

1.一種空隙檢測方法，其特征在于，應用于空隙檢測裝置，所述空隙檢測裝置包括N個感光芯片，所述N個感光芯片沿第一方向排列，N為大于1的整數，所述方法，包括：

獲取所述N個感光芯片采集的N個第一光強值；

比較所述N個第一光強值，獲取所述N個第一光強值中最大的M個第一光強值；M為正整數；

確定采集所述最大的M個第一光強值的M個感光芯片的第一位置信息；

根據所述M個感光芯片的第一位置信息獲取空隙的第二位置信息。

2.根據權利要求1所述的空隙檢測方法，其特征在于，N大于2；所述比較所述N個第一光強值，獲取所述N個第一光強值中最大的M個第一光強值，包括：

按照所述N個感光芯片的排列順序，從首個感光芯片采集的第一光強值開始，依次以從首個感光芯片采集的第一光強值至第N-L+1個感光芯片采集的第一光強值為首，每次獲取相鄰的L個第一光強值進行比較，得到至少一個最大的第一光強值；L小于N；

當所述N個第一光強值比較完畢后，獲得所述N個第一光強值中最大的M個第一光強值。

3.根據權利要求2所述的空隙檢測方法，其特征在于，所述根據所述M個感光芯片的第一位置信息獲取空隙的第二位置信息，包括：

獲取所述最大的M個第一光強值中位置相鄰的兩個感光芯片采集的兩個第一光強值；

獲取所述兩個第一光強值的第一比值；

根據所述第一比值以及所述位置相鄰的兩個感光芯片的第一位置信息獲取空隙的第二位置信息。

4.根據權利要求1所述的空隙檢測方法，其特征在于，所述感光芯片包括發光元件；所述比較所述N個第一光強值之后，還包括：

當所述N個第一光強值相同時，開啟所述發光件；

獲取所述N個感光芯片采集的N個第二光強值；

比較所述N個第二光強值，獲取所述N個第二光強值中最小的M個第二光強值；

確定采集所述最小的M個第二光強值的M個感光芯片的第三位置信息；

根據所述M個感光芯片的第三位置信息獲取空隙的第二位置信息。

5.根據權利要求4所述的空隙檢測方法，其特征在于，N大于2；所述比較所述N個第二光強值，獲取所述N個第二光強值中最小的M個第二光強值，包括：

按照所述N個感光芯片的排列順序，從首個感光芯片采集的第二光強值開始，依次以從首個感光芯片采集的第二光強值至第N-L+1個感光芯片采集的第二光強值為首，每次獲取相鄰的L個第二光強值進行比較，得到至少一個最小的第二光強值；L小于N；

當所述N個第二光強值比較完畢后，獲得所述N個第二光強值中最小的M個第二光強值。

6.根據權利要求5所述的空隙檢測方法，其特征在于，所述根據所述M個感光芯片的第三位置信息獲取空隙的第二位置信息，包括：

獲取所述最小的M個第二光強值中位置相鄰的兩個感光芯片采集的兩個第二光強值；

獲取所述兩個第二光強值的第二比值；

根據所述第二比值以及所述位置相鄰的兩個感光芯片的第三位置信息獲取空隙的第二位置信息。

7.根據權利要求1所述的空隙檢測方法，其特征在于，所述空隙檢測裝置還包括散光板，所述散光板位于所述感光芯片上，所述感光芯片的感光方向朝向所述散光板；

相鄰兩個所述感光芯片之間的間距小于2厘米。

8.根據權利要求7所述的空隙檢測方法，其特征在于，相鄰兩個所述感光芯片之間的間距為1厘米。

9.根據權利要求1所述的空隙檢測方法，其特征在于，所述感光芯片的有效數據位為16bits。

10.一種空隙檢測裝置，其特征在于，包括：

底板；

N個感光芯片，位于所述底板上，且沿第一方向排列，所述N個感光芯片被配置為采集N個第一光強值；N為大于1的整數；

處理芯片，被配置為獲取所述N個第一光強值中最大的M個第一光強值，確定采集所述最大的M個第一光強值的M個感光芯片的第一位置信息，根據所述M個感光芯片的第一位置信息獲取空隙的第二位置信息，M為正整數。