[發明專利]射頻開關電路、射頻前端電路和無線裝置

有效

• 申請號: 202011066045.0
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112235013B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 曹原;李海著;倪建興
• 申請（專利權）人: 銳石創芯（深圳）科技有限公司
• 主分類號: H04B1/40
• 分類號: H04B1/40;H04B1/525
• 代理公司: 深圳眾鼎匯成知識產權代理有限公司 44566
• 代理人: 朱業剛

1.一種射頻開關電路，用于與射頻功率放大器和射頻天線相連，其特征在于，包括第一串聯射頻開關、第二串聯射頻開關、第三串聯射頻開關、第一并聯射頻開關和第二并聯射頻開關；

所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關和所述第三串聯射頻開關串聯設置在所述射頻功率放大器與所述射頻天線之間；

所述第一并聯射頻開關的一端與所述第一串聯射頻開關和第二串聯射頻開關之間的連接節點相連，另一端與接地端相連；

所述第二并聯射頻開關的一端與所述第二串聯射頻開關和第三串聯射頻開關之間的連接節點相連，另一端與接地端相連；

所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關、所述第三串聯射頻開關、所述第一并聯射頻開關和所述第二并聯射頻開關為單個晶體管形成的射頻開關，或者為至少兩個晶體管串聯形成的射頻開關；

形成所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關、所述第三串聯射頻開關、所述第一并聯射頻開關和所述第二并聯射頻開關的晶體管數量分別為N1、N2、N3、N4和N5，每一晶體管的源漏擊穿電壓為V_DS，所述第一串聯射頻開關與射頻功率放大器相連的一端的最大電壓為V max A，所述第三串聯射頻開關與射頻天線相連的一端的最大電壓V max B，則其中，為向上取整。

2.如權利要求1所述的射頻開關電路，其特征在于，形成所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關、所述第三串聯射頻開關的晶體管數量分別為N1、N2和N3，則N2≥N1，且N2≥N3。

3.如權利要求2所述的射頻開關電路，其特征在于，N1＝1，N3＝1。

4.如權利要求1所述的射頻開關電路，其特征在于，形成所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關和所述第三串聯射頻開關的晶體管的柵寬大于形成所述第一并聯射頻開關和所述第二并聯射頻開關的晶體管的柵寬。

5.一種射頻前端電路，包括第一功率放大器、第二功率放大器、第一天線和第二天線，所述第一功率放大器與所述第一天線之間設有第一開關電路，所述第一功率放大器與所述第二天線之間設有第二開關電路，所述第二功率放大器與所述第一天線之間設有第三開關電路，所述第一開關電路為權利要求1-4任一項所述的射頻開關電路。

6.如權利要求5所述的射頻前端電路，其特征在于，

在所述第一功率放大器通過所述第一開關電路向所述第一天線發射射頻信號時，所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關和所述第三串聯射頻開關閉合，所述第一并聯射頻開關和所述第二并聯射頻開關斷開；

在所述第一功率放大器通過所述第二開關電路向所述第二天線發射射頻信號時，所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關、所述第三串聯射頻開關和所述第一并聯射頻開關斷開，所述第二并聯射頻開關閉合；

在所述第二功率放大器通過所述第三開關電路向所述第一天線發射射頻信號時，所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關、所述第三串聯射頻開關和所述第二并聯射頻開關斷開，所述第一并聯射頻開關閉合。