[發明專利]射頻開關電路、射頻前端電路和無線裝置

有效

• 申請號: 202011066045.0
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112235013B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 曹原;李海著;倪建興
• 申請（專利權）人: 銳石創芯（深圳）科技有限公司
• 主分類號: H04B1/40
• 分類號: H04B1/40;H04B1/525
• 代理公司: 深圳眾鼎匯成知識產權代理有限公司 44566
• 代理人: 朱業剛

本發明公開一種射頻開關電路、射頻前端電路和無線裝置。該射頻開關電路，用于與射頻功率放大器和射頻天線相連，包括第一串聯射頻開關、第二串聯射頻開關、第三串聯射頻開關、第一并聯射頻開關和第二并聯射頻開關；第一串聯射頻開關、第二串聯射頻開關和第三串聯射頻開關串聯設置在射頻功率放大器與射頻天線之間；第一并聯射頻開關的一端與第一串聯射頻開關和第二串聯射頻開關之間的連接節點相連，另一端與接地端相連；第二并聯射頻開關的一端與第二串聯射頻開關和第三串聯射頻開關之間的連接節點相連，另一端與接地端相連。該射頻開關電路具有在能保證承受足夠高的電壓/功率的同時又能降低所引入的插入損耗，提高不同發射路徑之間的隔離度。

技術領域

本發明涉及射頻通信技術領域，尤其涉及一種射頻開關電路、射頻前端電路和無線裝置。

背景技術

在射頻前端電路中，射頻開關是必不可少的元件之一。射頻開關可用于將天線電連接到RF系統的發射路徑或接收路徑，從而允許多個部件接入天線。通常情況下，射頻開關可通過多個晶體管(如場效應晶體管(FET))堆棧配置組成。當這種射頻開關處于斷開(OFF)狀態時，它們可被認為充當關于地的分流“高”阻抗。這種斷開堆棧的射頻開關一般將呈現電容和阻抗。目前，射頻開關通過使用更高的堆棧高度以允許斷開的射頻開關來承受更高的電壓/功率。然而，在射頻前端電路中，所使用的射頻開關的堆棧高度越高(即管子的數量越多)其所引入的插入損耗就越大，射頻信號在經過射頻開關時的阻抗就越大。因此，如何在保證斷開的射頻開關在承受足夠高的電壓/功率的同時又能降低插入損耗成為目前亟待解決的問題。

發明內容

本發明實施例提供一種射頻開關電路、射頻前端電路和無線裝置，以解決射頻開關電路無法兼容在斷開時可承受足夠高的電壓/功率且可降低插入損耗的問題。

本發明提供一種射頻開關電路，用于與射頻功率放大器和射頻天線相連，包括第一串聯射頻開關、第二串聯射頻開關、第三串聯射頻開關、第一并聯射頻開關和第二并聯射頻開關；

所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關和所述第三串聯射頻開關串聯設置在所述射頻功率放大器與所述射頻天線之間；

所述第一并聯射頻開關的一端與所述第一串聯射頻開關和第二串聯射頻開關之間的連接節點相連，另一端與接地端相連；

所述第二并聯射頻開關的一端與所述第二串聯射頻開關和第三串聯射頻開關之間的連接節點相連，另一端與接地端相連。

優選地，所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關、所述第三串聯射頻開關、所述第一并聯射頻開關和所述第二并聯射頻開關為單個晶體管形成的射頻開關，或者為至少兩個晶體管串聯形成的射頻開關。

優選地，形成所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關、所述第三串聯射頻開關、所述第一并聯射頻開關和所述第二并聯射頻開關的晶體管數量分別為N1、N2、N3、N4和N5，每一晶體管的源漏源漏擊穿電壓為V_DS，所述第一串聯射頻開關與射頻功率放大器相連的一端的最大電壓為VmaxA，所述第三串聯射頻開關與射頻天線相連的一端的最大電壓VmaxB，則其中，為向上取整。

優選地，形成所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關、所述第三串聯射頻開關的晶體管數量分別為N1、N2和N3，則N2≥N1，且N2≥N3。

優選地，N1＝1，N3＝1。

優選地，形成所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關和所述第三串聯射頻開關的晶體管的柵寬大于形成所述第一并聯射頻開關和所述第二并聯射頻開關的晶體管的柵寬

優選地，在所述射頻功率放大器通過所述射頻天線發射射頻信號時，所述第一串聯射頻開關、所述第二串聯射頻開關和所述第三串聯射頻開關閉合，所述第一并聯射頻開關和所述第二并聯射頻開關斷開；