[發(fā)明專利]一種防護(hù)件及其制備方法、微晶玻璃和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011065841.2
• 申請(qǐng)日: 2020-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112340998B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張延起;談寶權(quán);黃昊;覃文城;胡偉;姜宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶鑫景特種玻璃有限公司
• 主分類號(hào): C03C10/12
• 分類號(hào): C03C10/12;C03C21/00;H05K5/02
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅(jiān)怡

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種防護(hù)件及其制備方法、微晶玻璃和電子設(shè)備，該防護(hù)件包括微晶玻璃，微晶玻璃是經(jīng)過(guò)高溫離子交換工藝處理后得到的強(qiáng)化微晶玻璃，微晶玻璃包括外層區(qū)域和內(nèi)層區(qū)域，外層區(qū)域從微晶玻璃的表面開(kāi)始向微晶玻璃的內(nèi)部延伸，外層區(qū)域的晶體比例小于內(nèi)層區(qū)域的晶體比例；外層晶體比例為：N＝(Nx*47.5*T^0.16)/100；其中，N為外層晶體比例，T為外層區(qū)域的深度，T為外層區(qū)域中沿深度方向的晶體尺寸的整數(shù)倍，T大于0且小于或等于0.1t，t為微晶玻璃的總厚度，t的單位為μm，Nx為內(nèi)層晶體比例；在室溫和頻率為0.5～1GHz的條件下微晶玻璃的介電常數(shù)為5～7、介電損耗角正切值小于或等于2×10supgt;?3/supgt;。通過(guò)上述方式，本申請(qǐng)能夠提高防護(hù)件的介電性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及介質(zhì)材料技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及防護(hù)件及其制備方法、微晶玻璃和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

微晶玻璃又稱玻璃陶瓷，是一類晶相與玻璃相結(jié)合的復(fù)合材料，其具有玻璃和陶瓷的雙重特性，具有能透可見(jiàn)光、機(jī)械強(qiáng)度高、電絕緣性能優(yōu)良、介電常數(shù)穩(wěn)定、耐磨、耐腐蝕、熱膨脹系數(shù)可調(diào)等優(yōu)異的光學(xué)性能和物化性能，其在多個(gè)領(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)用，如其可用作便攜式電子設(shè)備如手機(jī)、電腦的保護(hù)蓋板材料。

隨著電子技術(shù)的發(fā)展，屏下指紋識(shí)別技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，其中，基于超聲波原理的屏下指紋識(shí)別技術(shù)是目前應(yīng)用較多的一種屏下指紋識(shí)別方式。利用了超聲波具有穿透材料的能力，所使用的超聲波頻率為0.01MHz～1GHz，但超聲波對(duì)于玻璃的穿透性并不好，這就要求玻璃具有較高的介電常數(shù)和較低的介電損耗。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種防護(hù)件及其制備方法、微晶玻璃和電子設(shè)備，能夠提高防護(hù)件的介電性能。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種防護(hù)件，防護(hù)件包括微晶玻璃，微晶玻璃是經(jīng)過(guò)高溫離子交換工藝處理后得到的強(qiáng)化微晶玻璃，微晶玻璃包括外層區(qū)域和內(nèi)層區(qū)域，外層區(qū)域從微晶玻璃的表面開(kāi)始向微晶玻璃的內(nèi)部延伸，外層區(qū)域的晶體比例小于內(nèi)層區(qū)域的晶體比例；

外層晶體比例為：N＝(Nx*47.5*T^0.16)/100

其中，N為外層晶體比例，T為外層區(qū)域的深度，T為外層區(qū)域中沿深度方向的晶體尺寸的整數(shù)倍，T大于0且小于或等于0.1t，t為微晶玻璃的總厚度，t的單位為μm，Nx為內(nèi)層晶體比例；

在室溫和頻率為0.5～1GHz的條件下微晶玻璃的介電常數(shù)為5～7、介電損耗角正切值小于或等于2×10^-3。

其中，外層晶體比例為內(nèi)層晶體比例的30％～99％。

其中，微晶玻璃的表面壓應(yīng)力為140～400MPa。

其中，在室溫和頻率為2～6GHz的條件下微晶玻璃的介電常數(shù)為5.5～7.5、介電損耗角正切值小于或等于3×10^-3。

其中，在室溫和頻率為24～52GHz的條件下微晶玻璃的介電常數(shù)為5.5～8、介電損耗角正切值小于或等于5×10^-3。

其中，微晶玻璃的張應(yīng)力線密度為20000～40000MPa/mm，應(yīng)力層深度為100～150μm。

其中，微晶玻璃的維氏硬度為700～745kgf/mm²，斷裂韌性為1.2～2.0MPa*m^1/2。

其中，微晶玻璃對(duì)360nm波長(zhǎng)的光的透過(guò)率為85～89％，對(duì)500nm波長(zhǎng)的光的透過(guò)率為90～92％。

其中，內(nèi)層區(qū)域的晶體包括至少兩種晶相，至少兩種晶相的尺寸不同且相交叉互鎖。

其中，內(nèi)層區(qū)域的晶體包括至少兩種晶相，至少兩種晶相中的至少一種為含堿金屬晶相。