[發明專利]一種防護件及其制備方法、微晶玻璃和電子設備

有效

• 申請號: 202011065841.2
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112340998B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 張延起;談寶權;黃昊;覃文城;胡偉;姜宏
• 申請（專利權）人: 重慶鑫景特種玻璃有限公司
• 主分類號: C03C10/12
• 分類號: C03C10/12;C03C21/00;H05K5/02
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種防護件，其特征在于，

所述防護件包括微晶玻璃，所述微晶玻璃是經過高溫離子交換工藝處理后得到的強化微晶玻璃，所述微晶玻璃包括外層區域和內層區域，所述外層區域從所述微晶玻璃的表面開始向所述微晶玻璃的內部延伸，所述外層區域的晶體比例小于所述內層區域的晶體比例；

外層晶體比例為：N＝(Nx*47.5*T^0.16)/100

其中，N為所述外層晶體比例，T為所述外層區域的深度，T為所述外層區域中沿深度方向的晶體尺寸的整數倍，T大于0且小于或等于0.1t，t為所述微晶玻璃的總厚度，t的單位為μm，Nx為內層晶體比例；

在室溫和頻率為0.5～1GHz的條件下所述微晶玻璃的介電常數為5～7、介電損耗角正切值小于或等于2×10^-3。

2.根據權利要求1所述的防護件，其特征在于，

所述外層晶體比例為所述內層晶體比例的30％～99％。

3.根據權利要求1所述的防護件，其特征在于，

所述微晶玻璃的表面壓應力為140～400MPa。

4.根據權利要求1所述的防護件，其特征在于，

在室溫和頻率為2～6GHz的條件下所述微晶玻璃的介電常數為5.5～7.5、介電損耗角正切值小于或等于3×10^-3。

5.根據權利要求1所述的防護件，其特征在于，

在室溫和頻率為24～52GHz的條件下所述微晶玻璃的介電常數為5.5～8、介電損耗角正切值小于或等于5×10^-3。

6.根據權利要求1所述的防護件，其特征在于，

所述微晶玻璃的張應力線密度為20000～40000MPa/mm，應力層深度為100～150μm。

7.根據權利要求1所述的防護件，其特征在于，

所述微晶玻璃的維氏硬度為700～745kgf/mm²，斷裂韌性為1.2～2.0MPa*m^1/2。

8.根據權利要求1所述的防護件，其特征在于，

所述微晶玻璃對360nm波長的光的透過率為85～89％，對500nm波長的光的透過率為90～92％。

9.根據權利要求1所述的防護件，其特征在于，

所述內層區域的晶體包括至少兩種晶相，所述至少兩種晶相的尺寸不同且相交叉互鎖。

10.根據權利要求1所述的防護件，其特征在于，

所述內層區域的晶體包括至少兩種晶相，所述至少兩種晶相中的至少一種為含堿金屬晶相。

11.根據權利要求10所述的防護件，其特征在于，

所述內層區域的晶體包括透鋰長石、β-石英固溶體、二硅酸鋰中的兩種或三種。

12.根據權利要求1所述的防護件，其特征在于，

所述內層區域的晶體比例總和高于80wt％。

13.根據權利要求1所述的防護件，其特征在于，

所述微晶玻璃的內層區域包括以摩爾百分比計的60～75％的二氧化硅、15～25％的氧化鋰、2～10％的三氧化二鋁、0.5～5％的五氧化二磷、0.5～3％的二氧化鋯、0～3％的三氧化二硼、0～5％的氧化鎂、0～5％的氧化鋅、0～3％的氧化鈉、0～3％的氧化鉀和稀土金屬氧化物，其中，所述稀土金屬氧化物的含量大于0且小于或等于2％。