[發明專利]一種非接觸式晶片支撐裝置

在審

• 申請號: 202011065641.7
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112201610A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 胡璐
• 申請（專利權）人: 南京華易泰電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識產權代理有限公司 11616
• 代理人: 屠佳婕

本發明公開了一種非接觸式晶片支撐裝置，包括第二構件，所述第二構件為中空的圓錐形結構，且所述第二構件的上表面直徑大于下表面直徑，所述第二構件內容納有第一構件，所述第一構件為圓錐形結構，且所述第一構件的上表面直徑大于下表面直徑，所述第一構件的外表面與第二構件的內壁具有間隙，第二構件的內表面與第一構件留以預定間隙容納，本發明用以不接觸晶片的方式支撐的同時使在晶片的表面上形成的壓力分布的不均勻最小化，根據本發明的非接觸晶片支撐裝置控制空氣的注入壓力和吸入壓力，這樣，可以在沒有直接接觸的情況下支撐晶片，并且還可以防止晶片脫離，因此，可以使在半導體制造過程中對晶片的損壞最小化。

技術領域

本發明涉及晶片支撐裝置技術領域，具體是一種非接觸式晶片支撐裝置。

背景技術

在半導體生產過程中將晶圓轉移、蝕刻、thinning時需要一個固定或支撐的設備。通常，廣泛地使用用于固定晶片的徑向端的裝置，但是在某些過程中，必須支撐表面而不是晶片的端部。此時，如果使用接觸式支撐裝置，則由于要在其上形成晶片電路的表面與支撐裝置之間的物理直接接觸而導致晶片損壞的可能性。隨著要求晶片的密度和高集成度，這種可能性逐漸增加。

近來，半導體以薄板的形式應用于產品，例如智能卡和存儲卡。除了高密度和高集成之外，還需要更大的面積和薄膜。因此，近來，必須處理厚度為70μm至150μm的大面積晶片。然而，根據現有技術的晶片支撐設備不適合支撐由于大面積和薄化而具有小機械剛度的晶片。即，通過從晶片的中心注入的空氣和從晶片的徑向端吸入的空氣，在晶片的整個表面上的壓力分布中發生不均勻，這導致晶片的變形，從而導致對晶片的額外損壞的問題出現了。

發明內容

本發明的目的在于提供一種非接觸式晶片支撐裝置，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種非接觸式晶片支撐裝置，包括第二構件，所述第二構件為中空的圓錐形結構，且所述第二構件的上表面直徑大于下表面直徑，所述第二構件內容納有第一構件，所述第一構件為圓錐形結構，且所述第一構件的上表面直徑大于下表面直徑，所述第一構件的外表面與第二構件的內壁具有間隙，第二構件的內表面與第一構件留以預定間隙容納，從而不接觸第一構件的外表面，所述間隙為第三空氣通道，所述第一構件的上表面由凸部及凹部構成，所述第二構件上表面位于第一構件上表面的上方，所述第一構件上表面設置有硅片，每個所述凸部上均設置有呈圓周陣列分布的第一空氣通道，所述第一空氣通道貫穿第一構件，每個所述凹部上均設置有呈圓周陣列分布的第二空氣通道，所述第二空氣通道貫穿第一構件，所述第二構件的下方分別設置有第一空氣注氣泵、第二空氣注氣泵及吸氣泵，所述第一空氣注氣泵通過由第一構件的凸部形成的第一空氣通道朝第一構件頂部的方向注入，所述吸氣泵通過從第一構件的凹部形成的第二空氣通道向第一構件的底部吸入空氣，所述第二空氣注氣泵通過形成在第一構件和第二構件之間的第三空氣通道注入，當第二空氣通道連接到一個空氣泵的進氣側，而第一空氣通道和空氣泵連接到排氣側時，可以僅使用一個空氣泵來形成第一空氣注氣泵、第二空氣注氣泵和吸氣泵的功能，圖中的虛線所示的路徑是指從氣泵連接到第一空氣通道，第二空氣通道和第三空氣通道的空氣管道。

作為本發明進一步的方案：所述凸部與凹部呈環狀徑向交替分布，從上方觀察，凸部和凹部是具有預定寬度的環狀，并且沿著上表面的徑向交替地布置，即，當從垂直于第一構件的上表面的方向觀看時，凸部和凹部形成直徑逐漸增大的環形同心地布置的形狀。

作為本發明再進一步的方案：所述第一構件的上表面的直徑優選小于或等于硅片的直徑。

作為本發明再進一步的方案：所述第一空氣通道的開口為第一空氣通道的排出口a。

作為本發明再進一步的方案：所述第二空氣通道的的開口為第二空氣通道的進氣口a，由于第一空氣通道的排出口a和第二空氣通道的進氣口a用作向被支撐的硅片施加力的點，因此從第一構件上表面向下看時應每個保持相等的間隔并且分布在第一構件的整個上表面上。