[發明專利]一種非接觸式晶片支撐裝置在審
| 申請號: | 202011065641.7 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112201610A | 公開(公告)日: | 2021-01-08 |
| 發明(設計)人: | 胡璐 | 申請(專利權)人: | 南京華易泰電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京盛凡智榮知識產權代理有限公司 11616 | 代理人: | 屠佳婕 |
| 地址: | 210032 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 接觸 晶片 支撐 裝置 | ||
1.一種非接觸式晶片支撐裝置,包括第二構件(200),其特征在于,所述第二構件(200)為中空的圓錐形結構,且所述第二構件(200)的上表面直徑大于下表面直徑,所述第二構件(200)內容納有第一構件(100),所述第一構件(100)為圓錐形結構,且所述第一構件(100)的上表面直徑大于下表面直徑,所述第一構件(100)的外表面與第二構件(200)的內壁具有間隙,所述間隙為第三空氣通道(210),所述第一構件(100)的上表面由凸部(110)及凹部(120)構成,所述第二構件(200)上表面位于第一構件(100)上表面的上方,所述第一構件(100)上表面設置有硅片(50),每個所述凸部(110)上均設置有呈圓周陣列分布的第一空氣通道(111),所述第一空氣通道(111)貫穿第一構件(100),每個所述凹部(120)上均設置有呈圓周陣列分布的第二空氣通道(121),所述第二空氣通道(121)貫穿第一構件(100),所述第二構件(200)的下方分別設置有第一空氣注氣泵(310)、第二空氣注氣泵(320)及吸氣泵(400),所述第一空氣注氣泵(310)通過由第一構件(100)的凸部(110)形成的第一空氣通道(111)朝第一構件(100)頂部的方向注入,所述吸氣泵(400)通過從第一構件(100)的凹部(120)形成的第二空氣通((121)向第一構件(100)的底部吸入空氣,所述第二空氣注氣泵(320)通過形成在第一構件(100)和第二構件(200)之間的第三空氣通道(210)注入。
2.根據權利要求1所述的一種非接觸式晶片支撐裝置,其特征在于,所述凸部(110)與凹部(120)呈環狀徑向交替分布。
3.根據權利要求1所述的一種非接觸式晶片支撐裝置,其特征在于,所述第一構件(100)的上表面的直徑優選小于或等于硅片(50)的直徑。
4.根據權利要求1所述的一種非接觸式晶片支撐裝置,其特征在于,所述第一空氣通道(111)的開口為第一空氣通道(111)的排出口(111)a。
5.根據權利要求1所述的一種非接觸式晶片支撐裝置,其特征在于,所述第二空氣通道(121)的的開口為第二空氣通道(121)的進氣口(121)a。
6.根據權利要求1所述的一種非接觸式晶片支撐裝置,其特征在于,所述第二構件(200)的內徑與第一構件(100)的頂面相同的平面上逐步擴大,且所述第二構件(200)上端的內徑大于硅片(50)的直徑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





