[發明專利]石墨基座和MOCVD設備

有效

• 申請號: 202011065395.5
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112366174B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 葛永暉;王慧;陳張笑雄;郭炳磊;王群;劉春楊;梅勁;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;H01L33/00;C23C16/18;C23C16/458
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種石墨基座，其特征在于，所述石墨基座(100)為圓盤形結構，所述石墨基座(100)的一個圓形端面(110)上設有多個圓形槽(10)和至少一個三棱錐形凸起(20)；所述多個圓形槽(10)的中心分布在至少兩個圓環(30)內，每個所述圓環(30)的圓心與所述圓形端面(110)的圓心重合；所述至少一個三棱錐形凸起(20)分布在至少一個所述圓環(30)遠離所述石墨基座(100)的中心的區域內，每個所述三棱錐形凸起(20)位于相鄰的兩個所述圓形槽(10)之間，每個所述三棱錐形凸起(20)所位于的兩個所述圓形槽(10)分布在同一個所述圓環(30)內。

2.根據權利要求1所述的石墨基座，其特征在于，每個所述三棱錐形凸起(20)的一條側棱朝向所述石墨基座(100)的中心。

3.根據權利要求2所述的石墨基座，其特征在于，每個所述三棱錐形凸起(20)朝向所述石墨基座(100)的中心的側棱位于所述石墨基座(100)的徑切面上。

4.根據權利要求2或3所述的石墨基座，其特征在于，每個所述三棱錐形凸起(20)朝向所述石墨基座(100)的中心的側棱與所述三棱錐形凸起(20)的底面之間的夾角，小于所述三棱錐形凸起(20)背向所述石墨基座(100)的中心的側面與所述三棱錐形凸起(20)的底面之間的夾角。

5.根據權利要求2或3所述的石墨基座，其特征在于，所述至少一個三棱錐形凸起(20)分布在至少兩個所述圓環(30)內，分布在不同所述圓環(30)內的所述三棱錐形凸起(20)背向所述石墨基座(100)的中心的側邊與所述三棱錐形凸起(20)的底面之間的夾角，沿遠離所述石墨基座(100)的中心的方向逐漸增大。

6.根據權利要求5所述的石墨基座，其特征在于，每個所述三棱錐形凸起(20)的側棱與底面之間的夾角為50°～75°，每個所述三棱錐形凸起(20)的側面與底面之間的夾角為50°～75°。

7.根據權利要求1～3任一項所述的石墨基座，其特征在于，所述至少一個三棱錐形凸起(20)分布在至少兩個所述圓環(30)內，分布在不同所述圓環(30)內的所述三棱錐形凸起(20)的高度沿遠離所述石墨基座(100)的中心的方向逐漸增大。

8.根據權利要求7所述的石墨基座，其特征在于，每個所述三棱錐形凸起(20)的高度為10μm～20μm。

9.根據權利要求1～3任一項所述的石墨基座，其特征在于，分布在同一個所述圓環(30)內的所述三棱錐形凸起(20)和所述圓形槽(10)在所述圓形端面(110)的周向上交替排列。

10.一種MOCVD設備，其特征在于，所述MOCVD設備包括石墨基座(100)、反應室(200)、轉軸(300)和出氣口(400)；所述石墨基座(100)為圓盤形結構，所述石墨基座(100)的一個圓形端面(110)上設有多個圓形槽(10)和至少一個三棱錐形凸起(20)；所述多個圓形槽(10)的中心分布在至少兩個圓環(30)內，每個所述圓環(30)的圓心與所述圓形端面(110)的圓心重合；所述至少一個三棱錐形凸起(20)分布在至少一個所述圓環(30)遠離所述石墨基座(100)的中心的區域內，每個所述三棱錐形凸起(20)位于相鄰的兩個所述圓形槽(10)之間，每個所述三棱錐形凸起(20)所位于的兩個所述圓形槽(10)分布在同一個所述圓環(30)內；所述石墨基座(100)設置在所述反應室(200)內；所述出氣口(400)設置在所述反應室(200)上，所述出氣口(400)朝向所述石墨基座(100)設有所述多個圓形槽(10)和所述至少一個三棱錐形凸起(20)的圓形端面(110)；所述轉軸(300)和所述出氣口(400)位于所述石墨基座(100)的相反兩側，所述轉軸(300)與所述石墨基座(100)同軸連接。