[發(fā)明專利]石墨基座和MOCVD設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011065395.5
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112366174B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葛永暉;王慧;陳張笑雄;郭炳磊;王群;劉春楊;梅勁;李鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;H01L33/00;C23C16/18;C23C16/458
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

本公開提供了一種石墨基座和MOCVD設(shè)備，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述石墨基座為圓盤形結(jié)構(gòu)，所述石墨基座的一個圓形端面上設(shè)有多個圓形槽和至少一個三棱錐形凸起；所述多個圓形槽的中心分布在至少兩個圓環(huán)內(nèi)，每個所述圓環(huán)的圓心與所述圓形端面的圓心重合；所述至少一個三棱錐形凸起分布在至少一個所述圓環(huán)遠離所述石墨基座的中心的區(qū)域內(nèi)，每個所述三棱錐形凸起位于相鄰的兩個所述圓形槽之間，每個所述三棱錐形凸起所位于的兩個所述圓形槽分布在同一個所述圓環(huán)內(nèi)。本公開在石墨基座設(shè)有多個圓形槽的圓形端面上增設(shè)至少一個三棱錐形凸起，可以減少圓形槽遠離石墨基座中心的區(qū)域的反應(yīng)氣體，提高外延片的發(fā)光均勻性。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種石墨基座和MOCVD設(shè)備。

背景技術(shù)

LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)是一種可以把電能轉(zhuǎn)化成光能的半導(dǎo)體二極管。LED具有高效節(jié)能、綠色環(huán)保的優(yōu)點，在交通指示、戶外全色顯示等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。尤其是利用大功率LED實現(xiàn)半導(dǎo)體固態(tài)照明，有望成為新一代光源進入千家萬戶，引起人類照明史的革命。

LED制作時，先在襯底上外延生長半導(dǎo)體晶體材料，形成LED外延片；再在LED外延片上設(shè)置電極，并對LED外延片進行切割，得到至少兩個相互獨立的LED芯片；最后對LED芯片進行封裝，得到LED。

目前外延生長都是在MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機化合物化學(xué)氣相沉淀)設(shè)備的反應(yīng)室內(nèi)進行。相關(guān)技術(shù)中，MOCVD設(shè)備的反應(yīng)室內(nèi)設(shè)有石墨基座，石墨基座上間隔設(shè)有多個口袋(pocket)，一個口袋內(nèi)可以放置一個襯底。外延生長時，反應(yīng)物氣體在襯底上生成半導(dǎo)體晶體材料，形成LED外延片。

在實現(xiàn)本公開的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)至少存在以下問題：

同一個襯底上不同區(qū)域的反應(yīng)物氣體的流量不同，導(dǎo)致襯底上不同區(qū)域生成的半導(dǎo)體晶體材料不同，形成的LED外延片不同區(qū)域的發(fā)光波長不同，波長均勻性無法滿足應(yīng)用需要。

發(fā)明內(nèi)容

本公開實施例提供了一種石墨基座和MOCVD設(shè)備，可以改善LED外延片的波長均勻性。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本公開實施例提供了一種石墨基座，所述石墨基座為圓盤形結(jié)構(gòu)，所述石墨基座的一個圓形端面上設(shè)有多個圓形槽和至少一個三棱錐形凸起；所述多個圓形槽的中心分布在至少兩個圓環(huán)內(nèi)，每個所述圓環(huán)的圓心與所述圓形端面的圓心重合；所述至少一個三棱錐形凸起分布在至少一個所述圓環(huán)遠離所述石墨基座的中心的區(qū)域內(nèi)，每個所述三棱錐形凸起位于相鄰的兩個所述圓形槽之間，每個所述三棱錐形凸起所位于的兩個所述圓形槽分布在同一個所述圓環(huán)內(nèi)。

可選地，每個所述三棱錐形凸起的一條側(cè)棱朝向所述石墨基座的中心。

可選地，每個所述三棱錐形凸起朝向所述石墨基座的中心的側(cè)棱位于所述石墨基座的徑切面上。

可選地，每個所述三棱錐形凸起朝向所述石墨基座的中心的側(cè)棱與所述三棱錐形凸起的底面之間的夾角，小于所述三棱錐形凸起背向所述石墨基座的中心的側(cè)面與所述三棱錐形凸起的底面之間的夾角。

可選地，所述至少一個三棱錐形凸起分布在至少兩個所述圓環(huán)內(nèi)，分布在不同所述圓環(huán)內(nèi)的所述三棱錐形凸起背向所述石墨基座的中心的側(cè)邊與所述三棱錐形凸起的底面之間的夾角，沿遠離所述石墨基座的中心的方向逐漸增大。

可選地，每個所述三棱錐形凸起的側(cè)棱與底面之間的夾角為50°～75°，每個所述三棱錐形凸起的側(cè)面與底面之間的夾角為50°～75°。

可選地，所述至少一個三棱錐形凸起分布在至少兩個所述圓環(huán)內(nèi)，分布在不同所述圓環(huán)內(nèi)的所述三棱錐形凸起的高度沿遠離所述石墨基座的中心的方向逐漸增大。

可選地，每個所述三棱錐形凸起的高度為10μm～20μm。