[發(fā)明專(zhuān)利]設(shè)計(jì)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011062989.0
• 申請(qǐng)日: 2020-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114330181A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翁坤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F30/3308
• 分類(lèi)號(hào): G06F30/3308
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種設(shè)計(jì)方法，應(yīng)用于多個(gè)預(yù)設(shè)電容單元組成的電容陣列，所述預(yù)設(shè)電容單元包括多個(gè)單元電容，其特征在于，包括：

獲取所述預(yù)設(shè)電容單元的單元仿真模型，所述單元仿真模型用于表征所述預(yù)設(shè)電容單元的電容值；

基于所述電容陣列中所述預(yù)設(shè)電容單元的排布方式，以及各所述預(yù)設(shè)電容單元的單元仿真模型，獲取所述電容陣列的第一仿真模型，所述第一仿真模型用于表征所述電容陣列中各所述預(yù)設(shè)電容單元的電容值，以及所述預(yù)設(shè)電容單元的排布方式；

基于所述預(yù)設(shè)電容單元的排布方式，獲取所述預(yù)設(shè)電容單元的排布方向，并建立在相同排布方向上的一組所述預(yù)設(shè)電容單元的寄生電阻等效測(cè)試結(jié)構(gòu)；

基于所述寄生電阻等效測(cè)試結(jié)構(gòu)，獲得各所述預(yù)設(shè)電容單元的寄生電阻；基于各所述預(yù)設(shè)電容單元的寄生電阻以及所述第一仿真模型，建立表征所述電容陣列的第二仿真模型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述建立在相同排布方向上的一組所述預(yù)設(shè)電容單元的寄生電阻等效測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括：

建立導(dǎo)線層，所述導(dǎo)線層耦接所述預(yù)設(shè)電容單元的下電極；

建立導(dǎo)電層，所述預(yù)設(shè)電容單元設(shè)置在所述導(dǎo)電層中，且所述導(dǎo)電層將同一排布方向上的一組所述預(yù)設(shè)電容單元的上電極彼此串聯(lián)耦合；

基于所述導(dǎo)電層和所述導(dǎo)電層，以所述一組所述預(yù)設(shè)電容單元中的各所述預(yù)設(shè)電容單元的導(dǎo)線層分別作為端點(diǎn)，獲得所述寄生電阻等效測(cè)試結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述電容陣列中的所述預(yù)設(shè)電容單元呈矩陣式分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，基于所述寄生電阻等效測(cè)試結(jié)構(gòu)，獲得各所述預(yù)設(shè)電容單元的寄生電阻，包括：

選取其中一個(gè)所述預(yù)設(shè)電容單元作為目標(biāo)預(yù)設(shè)電容單元，以相鄰所述預(yù)設(shè)電容單元所處的所述導(dǎo)電層的預(yù)設(shè)界面作為分隔邊界，界定所述預(yù)設(shè)電容單元的等效導(dǎo)電層；

分別獲取所述目標(biāo)預(yù)設(shè)電容單元的邊界與其所在的等效導(dǎo)電層的邊界之間的最小距離；

在所述預(yù)設(shè)電容單元的排布方向上以及垂直于所述預(yù)設(shè)電容單元的排布方向上，獲取所述目標(biāo)預(yù)設(shè)電容單元中所述電容單元的特征量，所述特征量包括所述電容單元的數(shù)量、所述電容單元彼此間的間距以及各所述電容單元的線寬；

基于最小距離以及所述特征量，獲取所述目標(biāo)預(yù)設(shè)電容單元的寄生電阻。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述分別獲取所述目標(biāo)預(yù)設(shè)電容單元的邊緣與其所在的等效導(dǎo)電層的邊緣之間的最小距離，包括：

獲取所述目標(biāo)預(yù)設(shè)電容單元的邊界距離所述分隔邊界的第一側(cè)最小距離和第二側(cè)最小距離，所述第一側(cè)最小距離靠近所述端點(diǎn)，所述第二側(cè)最小距離遠(yuǎn)離所述端點(diǎn)；

獲取垂直于所述預(yù)設(shè)電容單元的排布方向上，所述目標(biāo)預(yù)設(shè)電容單元的邊界距離所述等效導(dǎo)電層兩側(cè)邊界的最小間距。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述基于最小距離以及所述特征量，獲取所述目標(biāo)預(yù)設(shè)電容單元的寄生電阻，包括：

基于以下公式獲取所述目標(biāo)預(yù)設(shè)電容單元的寄生電阻：

R＝R_tcp*(L_nc*nc/2+b/2+f-d)/(L_nr*nr+a+c-e)；

定義所述預(yù)設(shè)電容單元的排布方向?yàn)閄方向，Y方向垂直于所述預(yù)設(shè)電容單元的排布方向；

R為所述寄生電阻，R_tcp為所述等效導(dǎo)電層的電阻率；

b為所述第一側(cè)最小距離，f為所述第二側(cè)最小距離；

nc為X方向上所述單元電容的數(shù)量，L_nc為X方向上所述單元電容的的線寬，d為X方向上所述單元電容的間距；

nr為Y方向上所述單元電容的數(shù)量，L_nr為Y方向上所述單元電容的的線寬，e為Y方向上所述單元電容的間距；

a和c分別為Y方向上所述目標(biāo)預(yù)設(shè)電容單元的邊界距離所述電容陣列的邊界的最小間距。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)界面為相鄰所述預(yù)設(shè)電容單元所處的所述導(dǎo)電層的中線界面。