[發明專利]晶圓傳輸裝置及底座的加工方法有效
| 申請號: | 202011062065.0 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112157407B | 公開(公告)日: | 2021-12-21 |
| 發明(設計)人: | 賈昆良 | 申請(專利權)人: | 靖江先鋒半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | B23P15/00 | 分類號: | B23P15/00;H01L21/677 |
| 代理公司: | 靖江市靖泰專利事務所(普通合伙) 32219 | 代理人: | 陳秀蘭 |
| 地址: | 214500 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳輸 裝置 底座 加工 方法 | ||
本發明公開了一種晶圓傳輸裝置及底座的加工方法,包括底座、鈦合金連接件,所述底座C面連接端通過螺釘連接有鈦合金連接件,底座D面鎧裝加熱管安裝槽內嵌設有鎧裝加熱管,鎧裝加熱管延長端設置有冷端接線帽,冷端接線帽卡設在鈦合金連接件的加熱管定位板上;所述鎧裝加熱管上另一個冷端接線帽上連接有真空大氣轉接件,所述真空大氣轉接件上轉接孔與導線連接處設置有環氧樹脂密封膠。本發明結構簡單,重量輕,安裝拆卸方便快捷,性能可靠,延長了底座的使用壽命,提供了穩定的晶圓溫度,大幅度減少晶圓在工藝腔內加熱器上的升溫時間,有效提高了生產效率,大幅度降低了生產成本。
技術領域
本發明涉及半導體生產設備領域,尤其涉及一種晶圓傳輸裝置及底座的加工方法。
背景技術
隨著半導體行業競爭愈加激烈,半導體生產設備面臨高產能的挑戰,需要使用老設備進行更先進的制程,要求有更高的生產效率。 等離子增強型化學氣相淀積(PECVD)設備在進行工藝時,需要晶圓快速達到一定溫度,才能沉積厚度均勻的薄膜。現有設備在使用機械手進行晶圓傳輸過程中無法提供加熱功能 ,晶圓在傳輸過程中溫度下降,且傳統的加熱裝置比較笨重、硅膠的加熱板使用溫度較低,后續工藝時溫度下降的晶圓需要更長的時間的加溫來達到工藝溫度,造成生產效率低,嚴重影響產能,造成生產成本增加。因此提供一種具有高溫加熱功能的晶圓傳輸裝置是很有必要的。
發明內容
本發明的目是解決上述技術問題,提供一種晶圓傳輸裝置及底座的加工方法。
為了實現上述技術目的,達到上述的技術要求,本發明所采用的技術方案是:晶圓傳輸裝置,包括底座、鈦合金連接件,其特征在于:所述底座C面連接端通過螺釘連接有鈦合金連接件,底座D面鎧裝加熱管安裝槽內嵌設有鎧裝加熱管,鎧裝加熱管延長端設置有冷端接線帽,冷端接線帽卡設在鈦合金連接件的加熱管定位板上,壓板通過螺釘緊固在加熱管定位件上;所述鎧裝加熱管上另一個冷端接線帽上連接有真空大氣轉接件,所述冷端接線帽與真空大氣轉接件上轉接孔連接處設置有環氧樹脂密封膠,所述冷端接線帽與導線連接處設置有環氧樹脂密封膠,所述真空大氣轉接件與真空腔連接處設置有密封圈。
優選的:所述底座C面設置有若干個條狀導氣槽或若干個圓形導氣槽,底座D面設置有螺旋狀鎧裝加熱管安裝槽,鎧裝加熱管安裝槽與鎧裝加熱管安裝槽之間設置有若干個晶圓抬升頂針孔,底座連接端設置有與鈦合金連接件組裝的安裝固定孔。
優選的:所述鎧裝加熱管安裝槽設置為大半圓形,槽口尺寸小于直徑,槽口與底座上D面連接處設置有圓弧。
優選的:所述鈦合金連接件上設置有若干個連接機械手的固定孔;所述加熱管定位板自右前左后斜向設置在鈦合金連接件上。
優選的:所述真空大氣轉接件端面設置有密封溝槽,密封溝槽內圈中間設置有轉接孔,轉接孔兩側設置有固定在真空腔上用的螺紋孔;所述螺紋孔設置為盲孔。
優選的:所述鎧裝加熱管采用材料為:壁厚0.2mm,直徑1.5mm不銹鋼管。
優選的:所述鎧裝加熱管通過成型模具將鎧裝加熱管截面加工成橢圓型,方便后續安裝到鎧裝加熱管安裝槽內。
底座的加工方法,其特征在于:包括以下步驟:
(a)備料 選用導熱良好的鋁合金6061板料作為底座的基體,保證熱量分布均勻;
(b)線切割 按圖紙線切割底座的外形;
(c)精準退火處理,將底座加熱到至溫度為420℃,保溫3小時,然后隨爐緩慢冷卻,保證高溫環境下底座(1)不變形;
(d)銑削 底座C面按圖紙銑削加工防止晶圓滑片的導氣槽或圓形導氣槽;
(e)磨削 以C面為其準使用專用夾具牢靠固定銑削加工好的底座,磨削加工D面,再以D面為基準使用專用夾具牢靠固定磨削C面至圖紙尺寸,控制平面度公差在0.02mm以內;
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