[發(fā)明專利]基板研磨裝置、膜厚映射制作方法及基板的研磨方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011061881.X | 申請(qǐng)日： | 2020-09-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112692717A | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 渡邊和英;鹽川陽一;八木圭太;中村顯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社荏原制作所 |
| 主分類號(hào)： | B24B37/00 | 分類號(hào)： | B24B37/00;B24B37/11;B24B37/27;B24B37/34;B24B49/00;B24B51/00;B24B57/02 |
| 代理公司： | 上海華誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300 | 代理人： | 張麗穎 |
| 地址： | 日本東京都*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 研磨 裝置 映射 制作方法 方法 | ||
1.一種基板研磨裝置，具備：研磨臺(tái)，該研磨臺(tái)構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)，且設(shè)置有輸出與膜厚相關(guān)的信號(hào)的傳感器；研磨頭，該研磨頭與所述研磨臺(tái)相對(duì)并構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)，且能夠在與所述研磨臺(tái)相對(duì)的面安裝基板；以及控制部，該基板研磨裝置的特征在于，
所述控制部在所述傳感器在所述基板的被研磨面上通過時(shí)從所述傳感器取得信號(hào)，
所述控制部基于所述信號(hào)的分布曲線來確定所述傳感器相對(duì)于所述基板的軌道，
所述控制部基于所述信號(hào)來計(jì)算所述軌道上的各點(diǎn)處的所述基板的膜厚，
所述控制部基于針對(duì)所述傳感器的多個(gè)軌道而計(jì)算出的各點(diǎn)的膜厚來制作膜厚映射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板研磨裝置，其特征在于，
所述傳感器是一個(gè)以上的渦電流傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板研磨裝置，其特征在于，
所述傳感器是一個(gè)以上的光學(xué)傳感器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板研磨裝置，其特征在于，
所述傳感器是一個(gè)以上的渦電流傳感器和一個(gè)以上的光學(xué)傳感器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板研磨裝置，其特征在于，
在研磨所述基板后的水研磨中，所述控制部從所述傳感器取得所述信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板研磨裝置，其特征在于，
在所述基板的研磨中，所述控制部從所述傳感器取得所述信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的基板研磨裝置，其特征在于，
所述控制部還在與所述傳感器的第一軌道對(duì)應(yīng)的第一步驟中，計(jì)算所述基板的研磨速率分布曲線，
所述控制部基于所述研磨速率分布曲線，計(jì)算從第二步驟到所述第一步驟為止的所述基板的研磨量，該第二步驟與所述傳感器的第二軌道對(duì)應(yīng)且在所述第一步驟之前，
所述控制部從所述第二步驟中的所述膜厚映射減去所述研磨量，在減去后的膜厚映射中追加所述第一步驟中的所述第一軌道的膜厚的數(shù)據(jù)，由此更新所述膜厚映射。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板研磨裝置，其特征在于，
所述控制部還基于使用來自所述渦電流傳感器的信號(hào)制作出的第一膜厚映射和使用來自所述光學(xué)傳感器的信號(hào)制作出的所述第二膜厚映射的比較，制作表示所述基板的凹陷量的分布的凹陷映射。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板研磨裝置，其特征在于，
所述控制部還基于所述膜厚映射，判定是否達(dá)成了所期望的膜厚或所期望的膜厚分布曲線，
在未達(dá)到所述所期望的膜厚或所述所期望的膜厚分布曲線的情況下，所述控制部進(jìn)行控制，以使用所述研磨臺(tái)及所述研磨頭、或者所述基板研磨裝置所具備的第二研磨臺(tái)及第二研磨頭、或者與所述基板研磨裝置不同的其他基板研磨裝置所具備的第三研磨臺(tái)及第三研磨頭來對(duì)所述基板進(jìn)行再研磨。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板研磨裝置，其特征在于，
所述控制部還基于所述凹陷映射，判定是否達(dá)成了所期望的凹陷量，
在未達(dá)到所述所期望的凹陷量的情況下，所述控制部進(jìn)行控制，以使用所述研磨臺(tái)及所述研磨頭、或者所述基板研磨裝置所具備的第二研磨臺(tái)及第二研磨頭、或者與所述基板研磨裝置不同的其他基板研磨裝置所具備的第三研磨臺(tái)及第三研磨頭來對(duì)所述基板進(jìn)行再研磨。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板研磨裝置，其特征在于，
所述控制部還基于所述膜厚映射或所述凹陷映射，決定前工序的處理?xiàng)l件，或者決定后工序的處理?xiàng)l件，或者進(jìn)行用于質(zhì)量管理的數(shù)據(jù)處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板研磨裝置，其特征在于，
所述控制部還基于所述膜厚映射或所述凹陷映射來使研磨條件最佳化。
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