[發明專利]半導體模塊和半導體模塊的制造方法在審
| 申請號: | 202011059608.3 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112599486A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 堀元人;池田良成 | 申請(專利權)人: | 富士電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L25/18;H01L29/417;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 模塊 制造 方法 | ||
1.一種半導體模塊,其中,
該半導體模塊包括:
第1金屬布線板,其構成P端子;
第2金屬布線板,其構成N端子;
第3金屬布線板,其構成輸出端子;
第1半導體元件,其以集電極朝向所述第1金屬布線板的一主面的方式配置于所述第1金屬布線板的一主面;以及
第2半導體元件,其以集電極朝向所述第3金屬布線板的一主面的方式配置于所述第3金屬布線板的一主面,
所述第2金屬布線板隔著絕緣材料配置于所述第1金屬布線板的一主面,
所述第3金屬布線板以一主面朝向所述第1金屬布線板的方式配置,
所述第1半導體元件和所述第2半導體元件以所述第1半導體元件的發射極與所述第3金屬布線板的一主面連接并且所述第2半導體元件的發射極與所述第2金屬布線板的一主面連接的方式表背相反地配置。
2.根據權利要求1所述的半導體模塊,其中,
該半導體模塊還包括第1柵極端子,該第1柵極端子自所述第1半導體元件的柵極電極朝向所述第3金屬布線板立起,
所述第3金屬布線板具有能夠供所述第1柵極端子貫穿的第1貫通孔。
3.根據權利要求2所述的半導體模塊,其中,
該半導體模塊還包括柵極用金屬布線板,該柵極用金屬布線板在所述第1金屬布線板與所述第3金屬布線板之間配置于與所述第2半導體元件的柵極電極對應的部位,
所述柵極用金屬布線板隔著絕緣材料配置于所述第1金屬布線板的一主面,
所述第2半導體元件的柵極電極連接于所述柵極用金屬布線板的一主面。
4.根據權利要求3所述的半導體模塊,其中,
該半導體模塊還包括第2柵極端子,該第2柵極端子自所述柵極用金屬布線板的一主面朝向所述第3金屬布線板立起,
所述第3金屬布線板具有能夠供所述第2柵極端子貫穿的第2貫通孔。
5.根據權利要求4所述的半導體模塊,其中,
所述第1柵極端子和所述第2柵極端子自半導體模塊的一主面突出。
6.根據權利要求3~5中任一項所述的半導體模塊,其中,
所述第1金屬布線板的一主面具有:
第1主面,在該第1主面配置所述第1半導體元件,以及
第2主面,其設置在相對于所述第1主面下降了的位置,
所述第2金屬布線板配置于所述第2主面。
7.根據權利要求6所述的半導體模塊,其中,
所述柵極用金屬布線板配置于所述第2主面。
8.根據權利要求1~7中任一項所述的半導體模塊,其中,
所述第1半導體元件的集電極隔著燒結材料與所述第1金屬布線板接合,
所述第2半導體元件的集電極隔著燒結材料與所述第3金屬布線板接合。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的半導體模塊,其中,
所述第1半導體元件的發射極隔著凸塊與所述第3金屬布線板接合,
所述第2半導體元件的發射極隔著凸塊與所述第2金屬布線板接合。
10.根據權利要求1~9中任一項所述的半導體模塊,其中,
所述第1金屬布線板在端部具有外部導體連接用的第1外部連接部,
所述第2金屬布線板在與所述第1外部連接部相同的一側的端部具有外部導體連接用的第2外部連接部,
所述第1外部連接部和所述第2外部連接部自半導體模塊的一側面延伸出,并設于在俯視時互相不重疊的位置。
11.根據權利要求10所述的半導體模塊,其中,
所述第3金屬布線板在與所述第1外部連接部相反的一側的端部具有外部導體連接用的第3外部連接部,
所述第3外部連接部自半導體模塊的另一側面延伸出。
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