[發明專利]一種PCB的加工方法及PCB在審
| 申請號: | 202011059584.1 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112188761A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 傅寶林;杜紅兵;紀成光;劉夢茹;符立灣 | 申請(專利權)人: | 生益電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/46 | 分類號: | H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 尹君君 |
| 地址: | 523127 廣東省東莞*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pcb 加工 方法 | ||
1.一種PCB的加工方法,所述PCB包括至少一個單元和設于所有單元外周的工藝邊,每個所述單元包括依次疊板壓合的第一芯板、M張介質和第二芯板,所述M為大于0的自然數,其特征在于,所述加工方法包括:
針對所述M張介質中的每張介質,分別獲得當前的第i張介質在單獨與殘銅率為100%或0%的兩張芯板壓合后的平均壓合厚度Xi,1≦i≦M;
按照H=(X1+X2+...+XM)*c%-h1*(1-a1%)-h2*(1-b1%),確定所述M張介質的壓合厚度的理論設計值H;
其中,h1為所述第一芯板的與所述介質相鄰內層的銅厚,h2為所述第二芯板的與所述介質相鄰內層的銅厚,所述a1%為所述第一芯板的與所述介質相鄰內層的單元殘銅率,所述b1%為所述第二芯板的與所述介質相鄰內層的單元殘銅率,c%為所述M張介質壓合時的厚度系數,且c%與M的大小呈反比關系;
基于所述M張介質的壓合厚度的理論設計值,對所述PCB進行加工設計。
2.根據權利要求1所述PCB的加工方法,其特征在于,所述M張介質均為環氧玻璃布層壓板FR4材料類型時,
若所述M為1,則所述厚度系數為100%~99%;
若所述M為2,則所述厚度系數為98%~95%;
若所述M為3,則所述厚度系數為96%~93%;
若所述M為4,則所述厚度系數為92%~89%。
3.根據權利要求1所述PCB的加工方法,其特征在于,所述M張介質均為高速材料,且所述高速材料的材料型號為:R_5775、R_5775G、R_5775N、R_5785、R_5785N、R-5785GE、R-5785GN、Meteorwave 2000、Meteorwave 3000、Meteorwave 4000、Meteorwave 6600、Meteorwave 1000、TU-933、TU-933+、TU-933V、DS7409DV、DS7409DVN、EM-891K、EM-890K、IT-988SE、IT-988GSE、IT-968、R-5725S、R-5725或者Synamic6時,
若所述M為1,則所述厚度系數為100%~99%;
若所述M為2,則所述厚度系數為98%~96%;
若所述M為3,則所述厚度系數為96%~94%;
若所述M為4,則所述厚度系數為94%~92%。
4.根據權利要求4所述PCB的加工方法,其特征在于,所述M張介質均為高速材料,且所述高速材料的材料型號為:除所述R_5775、R_5775G、R_5775N、R_5785、R_5785N、R-5785GE、R-5785GN、Meteorwave 2000、Meteorwave 3000、Meteorwave 4000、Meteorwave 6600、Meteorwave 1000、TU-933、TU-933+、TU-933V、DS7409DV、DS7409DVN、EM-891K、EM-890K、IT-988SE、IT-988GSE、IT-968、R-5725S、R-5725和Synamic6以外的其他高速材料型號時,
若所述M為1,則所述厚度系數為100%~99%;
若所述M為2,則所述厚度系數為99%~97%;
若所述M為3,則所述厚度系數為97%~95%;
若所述M為4,則所述厚度系數為95%~93%。
5.根據權利要求1所述PCB的加工方法,其特征在于,所述加工設計為阻抗設計、背鉆深度設計或者信號損耗設計。
6.一種PCB,其特征在于,所述PCB由權利要求1至7任一所述PCB的加工方法制成。
7.根據權利要求6所述PCB,其特征在于,所述PCB為背板或者單板。
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