[發明專利]一種晶圓蝕刻深孔殘留物清理器

在審

• 申請號: 202011059387.X
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112247788A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 李萌
• 申請（專利權）人: 李萌
• 主分類號: B24B27/033
• 分類號: B24B27/033;B24B55/06;B24B41/02;B24B41/06;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種晶圓蝕刻深孔殘留物清理器，其結構包括底座、升降機、操作臺、旋轉機、清理器，底座頂面與升降機底面焊接連接，操作臺右側與升降機左側相疊合在一起，旋轉機底面與升降機頂面活動卡合，清理器右側與旋轉機左側活動卡合，清理器包括吸力機、收納倉、連接塊、插臺，收納倉頂面與吸力機底面固定連接，本發明在進行深孔殘留物清理工作時，可以通過鎖緊結構完全鎖緊硬質管，避免硬質管在抽取過程中有松動等現象對深孔壁產生更嚴重的劃痕，同時在伸入深孔抽取后，上提過程中會不斷對孔壁進行摩擦使其恢復光滑，平復硬質管伸入后產生的由于摩擦而形成的創傷，減少對晶圓使用性能的影響。

技術領域

本發明涉及晶圓蝕刻領域，具體的是一種晶圓蝕刻深孔殘留物清理器。

背景技術

晶圓是指制作硅半導體積體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅，硅晶棒在經過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓，在獲得晶圓后，需要在晶圓上進行蝕刻，使其產生多條的槽道和深孔，以滿足芯片制造的需求，由于在進行蝕刻過程中會產生一定量的殘留物，殘留物殘留在深孔內可能會對晶圓的正常工作造成不利影響，因此需要使用深孔殘留物清理器進行清理，在通過深孔殘留物清理器來對深孔內的殘留物進行清理時，需要通過一根硬質管伸入，并將殘留物抽出，之后再拔出，由于晶圓對光滑度要求非常的高，因此現有技術的深孔清理器在進行清理時，在硬質管插入的過程中，很容易與深孔內壁進行摩擦，使其表面產生如毛刺、刮道等摩擦形成的創傷，會影響晶圓在清理結束之后的使用性能。

發明內容

針對上述問題，本發明提供一種晶圓蝕刻深孔殘留物清理器。

為了實現上述目的，本發明是通過如下的技術方案來實現：一種晶圓蝕刻深孔殘留物清理器，其結構包括底座、升降機、操作臺、旋轉機、清理器，所述底座頂面與升降機底面焊接連接，所述操作臺右側與升降機左側相疊合在一起，所述旋轉機底面與升降機頂面活動卡合，所述清理器右側與旋轉機左側活動卡合；所述清理器包括吸力機、收納倉、連接塊、插臺，所述收納倉頂面與吸力機底面固定連接，所述連接塊左側與插臺右側焊接連接，所述收納倉底面與插臺頂面相互接通，所述升降機右側設有導軌結構。

更進一步的，所述插臺包括頂塊、旋桿、鎖緊結構、軌道、電源、插殼、拋光頭，所述鎖緊結構通過軌道與頂塊內部連接，所述旋桿中段焊接于鎖緊結構左側，所述電源頂面固定安裝于頂塊底面，所述拋光頭嵌入于插殼末段，所述頂塊左側設有帶有螺紋孔的凸起塊結構。

更進一步的，所述鎖緊結構包括螺紋桿、軸承、夾板、凸塊、槽口，所述螺紋桿右端通過軸承與夾板左側活動卡合，所述凸塊與夾板右側為一體化成型，所述槽口與插殼右側為一體化成型，所述凸塊與槽口大小相同。

更進一步的，所述拋光頭包括接電纜、擦環、導塊、轉動叉、磁鐵，所述接電纜末端與導塊頂面電連接，所述導塊底面通過轉動叉與擦環頂面連接，所述磁鐵固定安裝于導塊底面，所述磁鐵設有八個，每兩個磁極相反的磁鐵為一組間隙相同地環繞分布于導塊底面。

更進一步的，所述擦環包括收集管、旋轉層、擦塊，所述收集管外環與旋轉層內環固定連接，所述擦塊內層與旋轉層外環焊接連接，所述旋轉層內設有多個滾球結構。

更進一步的，所述擦塊包括外殼、摩擦層、摩擦加強輪、支撐板、彈簧、撐板，所述摩擦層兩側嵌入于外殼內部，所述摩擦加強輪外環通過支撐板與外殼內層連接，所述彈簧頂面固定安裝于撐板底面，所述撐板頂面與摩擦加強輪外環相疊合在一起，所述摩擦層采用二氧化鈰材料制作。

更進一步的，所述摩擦加強輪包括彈性殼、觸碰塊、凸輪、連接環、內軸，所述彈性殼內環與觸碰塊頂面固定連接，所述內軸外環通過連接環與凸輪內環連接，所述彈性殼采用硅PU材料制造。

有益效果

與現有技術相比，本發明具有如下有益效果：