[發明專利]一種太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 202011059369.1
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112201700B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 楊潔;武祿;張昕宇;鄭霈霆;金浩
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 錢嫻靜

1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

對制絨后的N型半導體襯底的背面進行N型摻雜處理，形成第一N型摻雜層；

對制絨后的N型半導體襯底的正面進行P型摻雜處理，形成P型發射極，所述P型發射極與所述N型半導體襯底形成PN結；

在所述P型發射極的上表面形成電介質層；

在所述電介質層的上表面形成第二N型摻雜層，其中，所述第二N型摻雜層的晶態包括非晶相、微晶相或多晶相中的一種或多種，所述第二N型摻雜層的厚度為1nm～10nm，所述第二N型摻雜層的摻雜元素為磷或砷，所述第二N型摻雜層的摻雜方阻為1000～100000Ω/sqr；

在所述第二N型摻雜層的上表面形成正面鈍化層，在所述第一N型摻雜層的下表面形成背面鈍化層；以及

在所述正面鈍化層和/或所述背面鈍化層上形成電極。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述電介質層的厚度為0.5nm～2nm；和/或，所述電介質層包括氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎵、氮化硅、氧化鉿中的至少一種。

3.根據權利要求1或2所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，在所述電介質層的上表面沉積一層N型摻雜層，包括：

在所述電介質層的上表面沉積形成多晶硅層，并進行摻雜處理以形成N型摻雜多晶硅層。

4.根據權利要求1或2所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，在所述電介質層的表面沉積一層N型摻雜層，包括：

在所述電介質層的表面沉積形成非晶硅層，并進行摻雜處理以形成N型摻雜非晶硅層；

對所述N型摻雜非晶硅層進行退火處理，其中，退火后的N型摻雜非晶硅層轉變N型摻雜的混合相晶體硅，所述混合相晶體硅包括非晶相晶體硅、微晶相晶體硅或多晶相晶體硅中的至少兩種。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，第一N型摻雜層的厚度為1nm～10nm；

第一N型摻雜層的摻雜元素為磷或砷，第一N型摻雜層的摻雜方阻為20Ω/sqr～300Ω/sqr。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述P型發射極的摻雜元素為硼或鎵，所述P型發射極的摻雜方阻為80Ω/sqr～400Ω/sqr。

7.根據權利要求1或5或6所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述摻雜處理所采用的方式包括高溫擴散工藝、漿料摻雜工藝或離子注入工藝中的任意一種。

8.根據權利要求1～7任一項所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述正面鈍化層和/或所述背面鈍化層的厚度為60nm～150nm，所述正面鈍化層和/或所述背面鈍化層的材質包括含氫氮化硅、含氫氮氧化硅、含氫碳氧化硅、含氫碳氮氧化硅的至少一種。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，在所述正面鈍化層和/或所述背面鈍化層上形成電極，包括：

在所述正面鈍化層表面進行金屬化處理，形成正面電極，所述正面電極穿透所述正面鈍化層、第二N型摻雜層、電介質層與所述P型發射極形成電接觸；

在所述背面鈍化層表面進行金屬化處理，形成背面電極，所述背面電極穿透所述背面鈍化層與所述第一N型摻雜層形成電接觸。

10.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池由權利要求1至9任一項所述的太陽能電池制備方法得到，所述太陽能電池包括由上至下依次排布的正面電極、正面鈍化層、第二N型摻雜層、電介質層、P型發射極、半導體襯底、第一N型摻雜層、背面鈍化層、背面電極。