[發明專利]一種單片晶圓蝕刻設備在審
| 申請號: | 202011059242.X | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN111987024A | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 李艷艷 | 申請(專利權)人: | 李艷艷 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單片 蝕刻 設備 | ||
本發明公開了一種單片晶圓蝕刻設備,其結構包括支腳、蝕刻液過濾器、供液管、蝕刻室,支腳上側與蝕刻液過濾器下側焊接連接,供液管與蝕刻液過濾器上側嵌固連接,經過導流座時主體上側的導流槽會通過旋轉帶動清理器向外移動對自身進行清洗,通過固定環固定固定板,清理塊向外側擴散時下側對導流槽進行清理,降低了導流槽內部堆積的金屬塵,防止了導流槽堵塞,頂刮板會通過墊球在導流槽內壁進行刮蹭,頂齒在墊球剮蹭時進行支撐,并通過彈板左側的頂弧加大對導流槽的頂壓力度,提高對內壁的清理效果,同時防止對導流槽表面總成傷害產生金屬粉塵,提高設備的使用壽命,防止金屬產生二次堆積。
技術領域
本發明屬于晶圓蝕刻領域,更具體的說,尤其涉及到一種單片晶圓蝕刻設備。
背景技術
晶圓蝕刻機是通過腐蝕作用對晶圓表面去除不需要的材料,如Si、SiO2、金屬、光刻膠等,蝕刻分為濕法和干法,濕法液體化學劑將晶圓表面多余的材料去除,干法通過將襯底暴露在氣態的等離子體中,通過等離子體與晶圓表面進行物理和化學反應從而去掉暴露的表面材料,在濕法蝕刻設備中由于濕法蝕刻會產生蝕刻的反應物,反應物和蝕刻液通過底部的排液通道進行排出,為了便于排出,通道會設有凹槽,由于反應物中還摻雜著部分的金屬,金屬沉淀會導致蝕刻液排出緩慢,致使凹槽逐漸被金屬填滿,蝕刻液排放的速度減慢,增加了晶圓表面金屬殘留,導致晶圓容易被金屬刮傷,降低了晶圓的成品率。
發明內容
為了解決上述技術反應物中還摻雜著部分的金屬,金屬沉淀會導致蝕刻液排出緩慢,致使凹槽逐漸被金屬填滿,蝕刻液排放的速度減慢,增加了晶圓表面金屬殘留,導致晶圓容易被金屬刮傷,本發明提供一種單片晶圓蝕刻設備。
為了實現上述目的,本發明是通過如下的技術方案來實現:一種單片晶圓蝕刻設備,一種單片晶圓蝕刻設備,其結構包括支腳、蝕刻液過濾器、供液管、蝕刻室,所述支腳上側與蝕刻液過濾器下側焊接連接,所述供液管與蝕刻液過濾器上側嵌固連接,所述蝕刻室與蝕刻液過濾器上側焊接連接,所述蝕刻液過濾器包括驅動箱、外罩、過濾芯、螺桿、放置臺、導流座,所述驅動箱與外罩下側焊接連接,所述外罩與支腳上側焊接連接,所述過濾芯與外罩中部內側嵌固連接,所述螺桿與驅動箱上端內部嵌固連接,所述放置臺與螺桿上側嵌固連接,所述導流座與螺桿中部外側鉚合連接,所述導流座形狀為圓形,并且呈水平放置。
作為本發明的進一步改進,所述導流座包括主體、導流槽、清理器,所述主體與螺桿外側嵌固連接,所述導流槽與主體上嵌固連接,所述清理器與主體中部上側活動卡合,所述導流槽數量為十二個并且以清理器為中心呈放射狀分布。
作為本發明的進一步改進,所述清理器包括固定環、固定板、清理塊,所述固定環與主體中部焊接連接,所述固定板與固定環上側焊接連接,所述清理塊與固定板外側焊接連接,所述清理塊數量為十二個,并且繞固定板外側進行環形分布。
作為本發明的進一步改進,所述清理塊包括彈簧、配重塊、壓縮桿、清理頭,所述彈簧連接在固定板與壓縮桿之間,所述配重塊與壓縮桿下端外側嵌固連接,所述清理頭與配重塊中部嵌固連接,所述彈簧和壓縮桿數量均為兩個,并且以清理頭為中心呈左右對稱分布,所述壓縮桿內部的空心結構,并且壓縮桿上下兩端外側外側的材質為氫化丁腈橡膠,具有耐高溫,耐腐蝕,密封性好的特點。
作為本發明的進一步改進,所述清理頭包括晃動板、中板、頂刮板,所述晃動板與配重塊中部軸連接,所述中板與晃動板中部嵌固連接,所述頂刮板與中板外側焊接連接,所述頂刮板材質為碳素彈簧鋼材質,具有彈性強,耐疲勞度好的特點,并且形狀呈半弧狀朝下安裝。
作為本發明的進一步改進,所述頂刮板包括墊球、頂齒、彈板、頂弧,所述墊球與頂齒外側相貼合,所述頂齒與彈板外側嵌固連接,所述彈板上端左側與中板外側焊接連接,所述頂弧與彈板左側嵌固連接,所述墊球材質為丁基橡膠,具有耐磨損的特點,并且呈圓形在頂齒外側貼合,所述頂齒形狀為三角形,并且材質為玻璃鋼材質,具有結構強度高,抗沖擊的特點。
有益效果
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





