[發明專利]一種單片晶圓蝕刻設備在審
| 申請號: | 202011059242.X | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN111987024A | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 李艷艷 | 申請(專利權)人: | 李艷艷 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單片 蝕刻 設備 | ||
1.一種單片晶圓蝕刻設備,其結構包括支腳(1)、蝕刻液過濾器(2)、供液管(3)、蝕刻室(4),所述支腳(1)上側與蝕刻液過濾器(2)下側焊接連接,所述供液管(3)與蝕刻液過濾器(2)上側嵌固連接,所述蝕刻室(4)與蝕刻液過濾器(2)上側焊接連接,其特征在于:
所述蝕刻液過濾器(2)包括驅動箱(21)、外罩(22)、過濾芯(23)、螺桿(24)、放置臺(25)、導流座(26),所述驅動箱(21)與外罩(22)下側焊接連接,所述外罩(22)與支腳(1)上側焊接連接,所述過濾芯(23)與外罩(22)中部內側嵌固連接,所述螺桿(24)與驅動箱(21)上端內部嵌固連接,所述放置臺(25)與螺桿(24)上側嵌固連接,所述導流座(26)與螺桿(24)中部外側鉚合連接。
2.根據權利要求1所述的一種單片晶圓蝕刻設備,其特征在于:所述導流座(26)包括主體(261)、導流槽(262)、清理器(263),所述主體(261)與螺桿(24)外側嵌固連接,所述導流槽(262)與主體(261)上嵌固連接,所述清理器(263)與主體(261)中部上側活動卡合。
3.根據權利要求2所述的一種單片晶圓蝕刻設備,其特征在于:所述清理器(263)包括固定環(63a)、固定板(63b)、清理塊(63c),所述固定環(63a)與主體(261)中部焊接連接,所述固定板(63b)與固定環(63a)上側焊接連接,所述清理塊(63c)與固定板(63b)外側焊接連接。
4.根據權利要求2所述的一種單片晶圓蝕刻設備,其特征在于:所述清理塊(63c)包括彈簧(c1)、配重塊(c2)、壓縮桿(c3)、清理頭(c4),所述彈簧(c1)連接在固定板(63b)與壓縮桿(c3)之間,所述配重塊(c2)與壓縮桿(c3)下端外側嵌固連接,所述清理頭(c4)與配重塊(c2)中部嵌固連接。
5.根據權利要求4所述的一種單片晶圓蝕刻設備,其特征在于:所述清理頭(c4)包括晃動板(c41)、中板(c42)、頂刮板(c43),所述晃動板(c41)與配重塊(c2)中部軸連接,所述中板(c42)與晃動板(c41)中部嵌固連接,所述頂刮板(c43)與中板(c42)外側焊接連接。
6.根據權利要求5所述的一種單片晶圓蝕刻設備,其特征在于:所述頂刮板(c43)包括墊球(r1)、頂齒(r2)、彈板(r3)、頂弧(r4),所述墊球(r1)與頂齒(r2)外側相貼合,所述頂齒(r2)與彈板(r3)外側嵌固連接,所述彈板(r3)上端左側與中板(c42)外側焊接連接,所述頂弧(r4)與彈板(r3)左側嵌固連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





