[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011057865.3
• 申請(qǐng)日: 2016-10-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112447749A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李南宰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11551
• 分類號(hào): H01L27/11551;H01L27/11548;H01L27/11526;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L27/11517;H01L27/11524;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L23/528
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 張瀾;趙永莉

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其可以包括：第一單元結(jié)構(gòu)、第二單元結(jié)構(gòu)、焊盤(pán)結(jié)構(gòu)、電路及開(kāi)口。焊盤(pán)結(jié)構(gòu)可以包括位于第一單元結(jié)構(gòu)和第二單元結(jié)構(gòu)之間的第一階梯結(jié)構(gòu)和第二階梯結(jié)構(gòu)。第一階梯結(jié)構(gòu)可以包括電連接至第一和第二單元結(jié)構(gòu)并堆疊在彼此頂部上的第一焊盤(pán)，并且第二階梯結(jié)構(gòu)可以包括電連接至第一和第二單元結(jié)構(gòu)并堆疊在彼此頂部上的第二焊盤(pán)。電路可以位于焊盤(pán)結(jié)構(gòu)下方。開(kāi)口可以穿過(guò)焊盤(pán)結(jié)構(gòu)以暴露電路，并且可以位于第一階梯結(jié)構(gòu)和第二階梯結(jié)構(gòu)之間以使第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)彼此絕緣。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年5月2日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2016-0054202的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全文通過(guò)引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)的各個(gè)實(shí)施例總體涉及一種電子裝置及其制造方法，并且更特別地涉及一種三維半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

無(wú)論非易失性存儲(chǔ)器裝置是否連接至電源，它們可以保留存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。因?yàn)槎S非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)到達(dá)其物理比例的極限，一些半導(dǎo)體制造商正通過(guò)在襯底上使存儲(chǔ)器單元在彼此頂部上堆疊來(lái)制造三維(3D)非易失性存儲(chǔ)器裝置。

三維存儲(chǔ)器裝置可以包括與層間絕緣層交替堆疊的柵電極，并且還可以包括穿過(guò)柵電極和層間絕緣層的溝道層。為了改善三維非易失性存儲(chǔ)器裝置的可靠性，正在研發(fā)各種結(jié)構(gòu)和制造方法。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置可以包括：第一單元結(jié)構(gòu)、第二單元結(jié)構(gòu)、焊盤(pán)結(jié)構(gòu)、電路及開(kāi)口。焊盤(pán)結(jié)構(gòu)可以包括位于第一單元結(jié)構(gòu)和第二單元結(jié)構(gòu)之間的第一階梯結(jié)構(gòu)和第二階梯結(jié)構(gòu)。第一階梯結(jié)構(gòu)可以包括電連接至第一和第二單元結(jié)構(gòu)并堆疊在彼此頂部上的第一焊盤(pán)，并且第二階梯結(jié)構(gòu)可以包括電連接至第一和第二單元結(jié)構(gòu)并堆疊在彼此頂部上的第二焊盤(pán)。電路可以位于焊盤(pán)結(jié)構(gòu)下方。開(kāi)口可以穿過(guò)焊盤(pán)結(jié)構(gòu)以暴露電路，并且可以位于第一階梯結(jié)構(gòu)和第二階梯結(jié)構(gòu)之間以使第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)彼此絕緣。

根據(jù)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置可以包括：第一單元結(jié)構(gòu)、焊盤(pán)結(jié)構(gòu)、電路、第一虛擬階梯結(jié)構(gòu)及第二虛擬階梯結(jié)構(gòu)。第一單元結(jié)構(gòu)可以包括第一至第4n層。焊盤(pán)結(jié)構(gòu)可以電連接至第一單元結(jié)構(gòu)。電路可以位于焊盤(pán)結(jié)構(gòu)下方。焊盤(pán)結(jié)構(gòu)可以包括包含堆疊在彼此頂部上的第一焊盤(pán)的第一階梯結(jié)構(gòu)、包含堆疊在彼此頂部上的第二焊盤(pán)的第二階梯結(jié)構(gòu)、穿過(guò)焊盤(pán)結(jié)構(gòu)以暴露電路并且位于第一階梯結(jié)構(gòu)和第二階梯結(jié)構(gòu)之間以使第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)彼此絕緣的開(kāi)口。第一虛擬階梯結(jié)構(gòu)可以位于第一階梯結(jié)構(gòu)和開(kāi)口之間，并且可以包括堆疊在彼此頂部上的第一引線。第一引線可以將第一焊盤(pán)電連接至第一單元結(jié)構(gòu)的第一至第3n層。第二虛擬階梯結(jié)構(gòu)可以位于第二階梯結(jié)構(gòu)和開(kāi)口之間并且包括堆疊在彼此頂部上的第二引線。第二引線可以將第二焊盤(pán)電連接至第一單元結(jié)構(gòu)的第一至第3n層。

根據(jù)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置的制造方法可以包括：在包含在第一方向上順序布置的第一單元區(qū)域、焊盤(pán)區(qū)域和第二單元區(qū)域的襯底的焊盤(pán)區(qū)域中形成電路。該方法可以包括堆疊結(jié)構(gòu)，該堆疊結(jié)構(gòu)包括在其中形成電路的襯底上堆疊的第一至第4n層(其中n是2或更大的自然數(shù))。該方法可包括在第一單元區(qū)域中形成第一單元結(jié)構(gòu)，在第二單元區(qū)域中形成第二單元結(jié)構(gòu)，以及在焊盤(pán)區(qū)域中通過(guò)部分地圖案化堆疊結(jié)構(gòu)的焊盤(pán)區(qū)域形成焊盤(pán)結(jié)構(gòu)。焊盤(pán)結(jié)構(gòu)可以包括：包含堆疊在彼此頂部上的第一焊盤(pán)的第一階梯結(jié)構(gòu)，第一焊盤(pán)電連接至第一和第二單元結(jié)構(gòu)：以及包含堆疊在彼此頂部上的第二焊盤(pán)的第二階梯結(jié)構(gòu)，第二焊盤(pán)電連接至第一和第二單元結(jié)構(gòu)。該方法可以包括形成通過(guò)堆疊結(jié)構(gòu)以暴露電路的開(kāi)口。開(kāi)口可以位于第一階梯結(jié)構(gòu)和第二階梯結(jié)構(gòu)之間以使第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)彼此絕緣。

附圖說(shuō)明

圖1A至圖1D是示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示例性結(jié)構(gòu)的圖。

圖2A至圖2E是示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示例性結(jié)構(gòu)的圖。

圖3A至圖6A以及圖3B至圖6B是示出根據(jù)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的示例的圖。