[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202011057865.3
• 申請日: 2016-10-12
• 公開（公告）號: CN112447749A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 李南宰
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11548;H01L27/11526;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L27/11517;H01L27/11524;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L23/528
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張瀾;趙永莉

1.一種半導體裝置，包括：

第一單元結構，包括第一溝道層；

第二單元結構，包括第二溝道層；

焊盤結構，位于所述第一單元結構和所述第二單元結構之間并且包括第一階梯結構和第二階梯結構，所述第一階梯結構包括電連接至所述第一單元結構和所述第二單元結構并且堆疊在彼此頂部上的第一焊盤；

電路，與所述第一單元結構、所述第二單元結構和所述焊盤結構豎向布置；以及

互連件，將所述第一焊盤電連接至所述電路。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括開口，所述開口穿過所述焊盤結構以暴露所述電路。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中所述互連件通過所述開口與所述電路電連接。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述焊盤結構包括虛擬結構，所述虛擬結構包括堆疊在彼此頂部上的引線，所述引線與所述第一單元結構和所述第二單元結構電連接。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述焊盤結構包括虛擬結構，所述虛擬結構包括堆疊在彼此頂部上的引線，所述引線將所述第一焊盤中的每個共同電連接至所述第一單元結構和所述第二單元結構。

6.一種半導體裝置，包括：

第一單元結構，包括堆疊在彼此頂部上的第一存儲單元；

第二單元結構，包括堆疊在彼此頂部上的第二存儲單元；以及

焊盤結構，位于所述第一單元結構和所述第二單元結構之間，

其中，所述焊盤結構包括：

階梯結構，包括堆疊在彼此頂部上的焊盤；以及

虛擬結構，包括堆疊在彼此頂部上的引線，所述引線將所述焊盤中的每個共同電連接至所述第一單元結構和所述第二單元結構。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，進一步包括電路，所述電路與所述焊盤結構、所述第一單元結構和所述第二單元結構豎向布置。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，進一步包括互連件，所述互連件將所述焊盤電連接至所述電路。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，進一步包括開口，所述開口穿過所述焊盤結構以暴露所述電路，所述互連件通過所述開口與所述電路電連接。

10.一種半導體裝置，包括：

第一單元結構，包括第一至第4n層；

焊盤結構，電連接至所述第一單元結構；以及

電路，位于所述焊盤結構下方，

其中，所述焊盤結構包括：

第一階梯結構，包括堆疊在彼此頂部上的第一焊盤；

第二階梯結構，包括堆疊在彼此頂部上的第二焊盤；

開口，穿過所述焊盤結構以暴露所述電路；

第一虛擬階梯結構，包括堆疊在彼此頂部上的第一引線，所述第一引線將所述第一焊盤電連接至所述第一單元結構的第一至第3n層；以及

第二虛擬階梯結構，包括堆疊在彼此頂部上的第二引線，所述第二引線將所述第二焊盤電連接至所述第一單元結構的所述第一至第3n層。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，進一步包括第二單元結構，所述第二單元結構面向所述第一單元結構，并且所述焊盤結構介于所述第一單元結構和所述第二單元結構之間，所述第二單元結構包括第一至第4n層并且電連接至所述焊盤結構。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，進一步包括互連結構，所述互連結構與所述焊盤電連接，使得所述電路共同電連接至所述第一單元結構和所述第二單元結構。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，進一步包括開口，所述開口穿過所述焊盤結構以暴露所述電路，所述互連結構通過所述開口與所述電路電連接。