[發明專利]等離子體處理裝置及等離子體處理方法

在審

• 申請號: 202011056120.5
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112687511A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 佐佐木淳一;佐佐木康晴;花岡秀敏;秋山知彥
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

本發明中公開的等離子體處理裝置的基板支撐器具有保持邊緣環的靜電卡盤。靜電卡盤包括第1電極及第2電極。對基板執行第1等離子體處理期間，在第1及第2電極分別設定彼此相同的電位及彼此不同的電位中的一種電位。對基板執行第2等離子體處理期間，在第1及第2電極分別設定另一種電位。在生成等離子體的狀態下，第1電極及第2電極各自的電位從一種電位切換成另一種電位。

技術領域

本發明的例示性實施方式涉及一種等離子體處理裝置及等離子體處理方法。

背景技術

在對基板的等離子體處理中，使用等離子體處理裝置。等離子體處理裝置具備腔室及基板支撐器。基板支撐器構成為在腔室內支撐基板。在基板支撐器上搭載有邊緣環。基板配置于由邊緣環包圍的區域內。邊緣環有時被稱為聚焦環。

基板支撐器有時具有構成為保持邊緣環的靜電卡盤。構成為保持邊緣環的靜電卡盤是雙極型靜電卡盤，具備兩個電極。具有這種靜電卡盤的等離子體處理裝置記載于日本特開2016-122740號公報中。

發明內容

本發明提供一種抑制放電的技術，該放電有可能在為了保持邊緣環而切換設定于靜電卡盤的兩個電極的電位時產生于邊緣環與基板之間。

在一例示性實施方式中，提供一種等離子體處理裝置。等離子體處理裝置具備腔室、基板支撐器、一個以上的電源、高頻電源、偏置電源及控制部。基板支撐器構成為在腔室內支撐基板。基板支撐器具有下部電極及靜電卡盤。靜電卡盤具有第1電極及第2電極。靜電卡盤構成為通過靜電力保持邊緣環，該靜電力根據分別設定于第1電極及第2電極的電位產生。一個以上的電源與第1電極及第2電極電連接。高頻電源構成為供應高頻電力以在腔室內生成等離子體。偏置電源構成為向下部電極供應偏置電力。控制部構成為控制一個以上的電源、高頻電源及偏置電源。控制部控制高頻電源及偏置電源，以對載置于基板支撐器上的基板執行第1等離子體處理。控制部控制一個以上的電源，以將第1等離子體處理的執行期間內的第1電極的電位及第2電極的電位分別設定為彼此相同的電位及彼此不同的電位中的一種電位。控制部控制高頻電源及偏置電源，以對載置于基板支撐器上的基板執行第2等離子體處理。控制部將第2等離子體處理的執行期間內的高頻電力或偏置電力中的至少一種電力的有效值設定為與第1等離子體處理的執行期間內的該至少一種電力的有效值不同的值。控制部控制一個以上的電源，以將第2等離子體處理的執行期間內的第1電極的電位及第2電極的電位分別設定為彼此相同的電位及彼此不同的電位中的另一種電位。控制部控制一個以上的電源，以在切換期間在腔室內生成等離子體的狀態下，將第1電極及第2電極各自的電位從上述一種電位切換成上述另一種電位。切換期間是第1等離子體處理的執行期間與第2等離子體處理的執行期間之間的期間。

根據一例示性實施方式，能夠抑制放電，該放電有可能在為了保持邊緣環而切換設定于靜電卡盤的兩個電極的電位時產生于邊緣環與基板之間。

附圖說明

圖1是概略表示一例示性實施方式所涉及的等離子體處理裝置的圖。

圖2是一例示性實施方式所涉及的等離子體處理裝置的基板支撐器的局部放大剖視圖。

圖3是表示一例示性實施方式所涉及的等離子體處理裝置的靜電卡盤上的第1電極及第2電極的例示性布局的俯視圖。

圖4是一例示性實施方式所涉及的等離子體處理方法的流程圖。

圖5是與一例示性實施方式所涉及的等離子體處理方法相關的一例的時序圖。

圖6的(a)是一例的基板的局部放大剖視圖，圖6的(b)是執行工序ST1之后的一例的基板的局部放大剖視圖，圖6的(c)是執行工序ST2之后的一例的基板的局部放大剖視圖。

圖7是與一例示性實施方式所涉及的等離子體處理方法相關的另一例的時序圖。

圖8的(a)及圖8的(b)是與一例示性實施方式所涉及的等離子體處理方法相關的又一例的時序圖。