[發(fā)明專利]等離子體處理裝置及等離子體處理方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011056120.5 | 申請日： | 2020-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN112687511A | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 佐佐木淳一;佐佐木康晴;花岡秀敏;秋山知彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子體 處理 裝置 方法 | ||
1.一種等離子體處理裝置，其具備：
腔室；
基板支撐器，其構(gòu)成為在所述腔室內(nèi)支撐基板且具有下部電極及靜電卡盤，該靜電卡盤構(gòu)成為具有第1電極及第2電極且通過靜電力保持邊緣環(huán)，該靜電力根據(jù)分別設(shè)定于該第1電極及該第2電極的電位產(chǎn)生；
一個以上的電源，其與所述第1電極及所述第2電極電連接，
高頻電源，其構(gòu)成為供應(yīng)高頻電力以在所述腔室內(nèi)生成等離子體；
偏置電源，其構(gòu)成為對所述下部電極供應(yīng)偏置電力；及
控制部，其構(gòu)成為控制所述一個以上的電源、所述高頻電源及所述偏置電源，
所述控制部進(jìn)行如下控制：
控制所述高頻電源及所述偏置電源，以對載置于所述基板支撐器上的基板執(zhí)行第1等離子體處理，并控制所述一個以上的電源，以將在所述第1等離子體處理的執(zhí)行期間內(nèi)的所述第1電極的電位及所述第2電極的電位分別設(shè)定為彼此相同的電位及彼此不同的電位中的一種電位，
控制所述高頻電源及所述偏置電源，以對載置于所述基板支撐器上的所述基板執(zhí)行第2等離子體處理，并控制所述一個以上的電源，以將在所述第2等離子體處理的執(zhí)行期間內(nèi)的所述高頻電力或所述偏置電力中的至少一種電力的有效值設(shè)定為與所述第1等離子體處理的執(zhí)行期間內(nèi)的該至少一種電力的有效值不同的值，且將在所述第2等離子體處理的所述執(zhí)行期間內(nèi)的所述第1電極的電位及所述第2電極的電位設(shè)定為彼此相同的所述電位及彼此不同的所述電位中的另一種電位，
控制所述一個以上的電源，以在所述第1等離子體處理的所述執(zhí)行期間與所述第2等離子體處理的所述執(zhí)行期間之間的切換期間，在所述腔室內(nèi)生成等離子體的狀態(tài)下，將所述第1電極及所述第2電極各自的電位從所述一種電位切換成所述另一種電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，
所述第1等離子體處理的所述執(zhí)行期間內(nèi)的所述至少一種電力的所述有效值大于所述第2等離子體處理的所述執(zhí)行期間內(nèi)的所述至少一種電力的所述有效值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其中，
所述控制部進(jìn)行如下控制：
控制所述一個以上的電源，以將所述第1等離子體處理的所述執(zhí)行期間內(nèi)的所述第1電極的電位及所述第2電極的電位分別設(shè)定為彼此相同的所述電位，
控制所述一個以上的電源，以將所述第2等離子體處理的所述執(zhí)行期間內(nèi)的所述第1電極的電位及所述第2電極的電位分別設(shè)定為彼此不同的所述電位。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，
所述第1等離子體處理的所述執(zhí)行期間內(nèi)的所述至少一種電力的所述有效值小于所述第2等離子體處理的所述執(zhí)行期間內(nèi)的所述至少一種電力的所述有效值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其中，
所述控制部進(jìn)行如下控制：
控制所述一個以上的電源，以將所述第1等離子體處理的所述執(zhí)行期間內(nèi)的所述第1電極的電位及所述第2電極的電位分別設(shè)定為彼此不同的所述電位，
控制所述一個以上的電源，以將所述第2等離子體處理的所述執(zhí)行期間內(nèi)的所述第1電極的電位及所述第2電極的電位分別設(shè)定為彼此相同的所述電位。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
所述控制部控制所述高頻電源及所述偏置電源，以在所述切換期間改變所述高頻電力或所述偏置電力中的至少一種電力的電平。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
所述切換期間是緊接在所述第1等離子體處理的所述執(zhí)行期間之后的期間，
所述控制部控制所述高頻電源及所述偏置電源，以在所述切換期間使所述至少一種電力的電平相對于所述第1等離子體處理的所述執(zhí)行期間內(nèi)的所述至少一種電力的電平逐漸減少。
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