[發明專利]半導體裝置及其形成方法

在審

• 申請號: 202011056092.7
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112750812A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 曾杰;R·庫馬爾
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/82
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體裝置，包括：

基板；

集電極區，設置在該基板內，其中，該集電極區包括設置在該基板內的掩埋層、設置在該掩埋層的第一部分上方的第一阱區、以及至少部分地設置在該第一阱區內的第一導電區；

基極區，設置在該掩埋層的第二部分上方，其中，該基極區包括設置在該掩埋層的該第二部分上方的第二阱區和至少部分地設置在該第二阱區內的第二導電區，其中，該第一阱區橫向鄰接該第二阱區；

發射極區，包括至少部分地設置在該第二導電區內的第三導電區；

隔離元件，設置在該第一導電區和該第三導電區之間；以及

導電板，設置在該隔離元件上，其中，該導電板電性連接該第一導電區；

其中，該掩埋層、該第一阱區、該第一導電區和該第三導電區具有第一導電類型；且其中，該第二阱區和該第二導電區具有不同于該第一導電類型的第二導電類型。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，該隔離元件至少部分地設置在形成于該第一阱區和該第二阱區之間的p-n結上方。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，該隔離元件包括硅局部氧化隔離、淺溝槽隔離、或場氧化沉積隔離中的至少一個。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，該導電板至少部分地設置在形成于該第一阱區和該第二阱區之間的p-n結上方。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，該導電板包括多晶硅或金屬。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，該導電板、該隔離元件、該第二阱區和該掩埋層形成減少表面場(RESURF)結構。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，終端接觸件未存在于該基極區中，使得該基極區被配置為浮動。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，該第一導電區包括第三阱區和至少部分地設置在該第三阱區內的終端區。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，該第二阱區整體設置在該掩埋層上并接觸該掩埋層。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，該第一阱區接觸該掩埋層。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，該第一阱區和該第一導電區設置為至少部分地圍繞該第二阱區、該第二導電區和該第三導電區。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，該第一阱區和該第一導電區設置在該第二阱區的第一側，其中，另一第一阱區和另一第一導電區設置在該第二阱區的第二側，其中，該掩埋層在該第一阱區和該第二阱區的下方水平延伸，以將該第一阱區連接至該另一第一阱區。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括設置在該基板內的第四導電區，其中，該第四導電區至少部分地設置在該掩埋層下方并至少部分地圍繞該第一阱區和該第一導電區，其中，該第四導電區具有該第二導電類型。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，該第一阱區、該第一導電區和該第四導電區形成二極管。

15.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，該第四導電區包括外延層和至少部分地設置在該外延層內的終端區。

16.根據權利要求15所述的半導體裝置，其中，該第四導電區的該終端區電性連接該第三導電區，其中，該第四導電區的該終端區通過另一隔離元件與該第一導電區隔開。